- Projektor topic
- AMD Ryzen 9 / 7 / 5 9***(X) "Zen 5" (AM5)
- AMD Navi Radeon™ RX 9xxx sorozat
- iPad topik
- Szelek helyett a nosztalgia szárnyán érkezik a SilverStone legújabb miditornya
- Milyen házat vegyek?
- AMD Ryzen 9 / 7 / 5 / 3 5***(X) "Zen 3" (AM4)
- Milyen egeret válasszak?
- Házimozi belépő szinten
- Merevlemezek megbízhatósága, élettartama
Aktív témák
-
-
amdk7
aktív tag
Sziasztok, jó reggelt!
Akkor összefoglalva, mivel tegnap este belenéztem az otthoni gépem BIOS-ába.
Tehát, ami érdekel, a CPU/Memory frequency ratio. Itt választható az 1:1, illetve a 4:5.
Egy-két dolog, amit nem árt ha tud az ember fia:
Athlon 1800+
Asus A7V333
512MB DDR (333MHz)
Üdv:
amdk7
-
#96
GeorgeTerror
senior tag
Hequila
#95
GeorgeTerror
senior tag
Ebből lehet adatvesztésed.
Ha kiír egy csomó hibát az azt jelenti, hogy azon a frekvencián (FSB), cas 2 latency-vel, és 4 bank interleavinggel a ramod nem tud jól együttműködni au alaplapoddal, ezért hibázik. Ebből ocsmány nagy fagyások, kékhalálok jöhetnek.
Tehát ha stabilan akarod használni a géped vagy az fsb-t vagy a cas-t vagy a interleavinget vedd vissza. -
Hequila
őstag
Lehet, hogy egy kicsit elvág a témától, de végül is még ide tartozik:
a BIOS -ban beállítom a 2 -es CAS -et és a 4 bank interlive -et. Utána memóriateszt lefuttat, (memtest86) és az nekem egy halom hibát ír ki. Ezek nem fizikai hibák. Ezek után az lenne a kérdésem, hogy én ezeket a hibákat programok futtatása közben észreveszem-e, vagy lehet ebből adódóan adatvesztésem? -
#93
hogyishívnak?
aktív tag
napocska
#81
hogyishívnak?
aktív tag
-
-
napocska
tag
Na, ma nagyon aktiv vagyok, de attól félek erre hülyeséget irok. A leosztás azért kell mert a PCI busz sebessége fix 33Mhz, és ettől eltérő FSB esetén azt osztani kell a PCI sebességére. Ha hülyeséget irtam tudjátok be annak hogy most a RAMOK vannak a fejemben...
Hopp jó is lenne egy kis extra memória -
róland
veterán
OFF
Szia Den!
Csak egy apró megjegyzés: Néha elég rossz végigolvasni 2-300 hozzászólást, hogy képben legyek az adott témában. Eddig megtettem, de a hozzáférésem néha eléggé lelassul. Ezért jó egy-egy új topic. De a témát itt lezárom.
ON
Den! Kösz a válaszokat, még fogok kérdezni.
-
amdk7
aktív tag
Csak leírom 3.x-ra is:
Azt írja már le valaki legyetek szívesek, hogy a BIOS-ban mi is az a 4:3-as osztó.
Tudom, hogy a FSB-vel és a PCI frekivel van összefüggésben, de pontosan, hogyan is viszonyulnak most ezek egymáshoz? Vegyétek példának a 4:3-at.
Most, hogy túltette mindenki magát azon, hogy csak 1 ilyen topik lesz, leírhatnátok az én kérdésemre is a választ!
Sajna már csak holnap nézem meg, de 3.x-ra is előre köszönöm.
Sziasztok! -
-
napocska
tag
Na lássunk is valamit. Mondjuk hadd foglaljam össze milyen főbb elemekből áll egy DRAM.
1. Tároló elem
Azt már megtanultuk, hogy az információt egy kapacitás tárolja, amelynek feltöltött/kisütött állapota jelenti a tárolt logikai 1/0 állapotot.
Minden kapacitás egyik fegyverzete egy tranzisztoron keresztül a bitvonalra kapcsolódik, a másik a tápfeszültség felére. Azt hogy melyik cellát olvassuk ki, pedig az dönti el, melyik tranzisztort nyitjuk ki a rá kapcsolt feszültséggel (most feltételezem hogy MOS tranzisztort használunk, amely feszültségvezérelt). A tranzisztor kapuelktródája pedig a szóvonalra kapcsolódik. Azaz egy olyan mátrixot kapunk, ahol szó és bitvonalak vannak, amelyek kereszteződéseiben vannak a kapcsolótranzisztorok és tárolócellák.
Ez az alap, lássuk mi kell még.
2. Érzékelőerősitő
Jellemzően egy cella 20-50pF kapacitású. A bitvonal kapacitása ennél több nagyságrenddel nagyobb. Azaz amikor a tranzisztort kinyitjuk, és a tárolt töltést a bitvonalra engedjük, akkor a töltésmegosztás miatt a bitvonal feszültsége csak kb. 0.2V-al lesz magasabb, mint alapállapotában(az alapállapot célszerüségi okok miatt szintén a tápfeszültség fele, igy mind a 0, mind az 1 állapot kiolvasása egyenlően nehéz). Ez a kis jelet kellene érzékelni. Ezt mindig differenciális érzékelőerősitővel oldják meg. Ennek két bemenete van, az egyik a referenciajel, a másik az érzékelni kivánt jel. A memóriák esetén több megoldás létezik. Az egyik a referencia cella használata, de mivel ez extra helyet foglal, ma már nem használják. Ma általánosan ugy oldják meg a dolgot, hogy az aktuális elérés során nem használt bitvonalakat a tápfeszültség felére töltik, és referenciként egy ilyen bitvonalat használnak.
Maga a differenciális érzékelőerősitő egy keresztbecsatolt tranzisztorpár (lényegében flipflop) ahol a magasabb feszültségen lévő transisztor hamarabb nyitva valósitja meg a billenést.
3. Sor és oszlopdekóderek
Azt hogy melyik cella kerüljön kiolvasásra ezek a dekóderek döntik el.Célszerüségi okok miatt itt is van egy két csavar, de ezeket most nem irnám le.
4. Adatvonali olvasók és meghajtók
Attól függően hogy olvasunk vagy irunk, az adatot vagy az érzékelőerősitőtől a külvilág felé, vagy a bemenetektől a cella felé kell vezetni. Az olvasást már tudjuk hogy történik. Az irásnál nekünk kell az érzékelőerősitőt a megfelelő irányba billenteni, erre szolgálnal a meghajtó áramkörök.
A szinkron müködést pedig ki és bemeneti bufferek biztositják.
5. Feszültséggenerátorok
Elő kell állitanunk a tápfeszültség felét, illetve a tranzisztorok müködéséhez szükséges feszültségeket. A NMOS tranzisztor kapuján a feszültségnek ugyanis a nyitófeszültséggel (Vt) meg kell haladnia a tápfeszültséget, ha azt akarjuk, hogy a tranzisztoron a teljes feszültség ''átmenjen'' a cellába, azaz a logikai 1 valóban a tápfeszültség legyen. Az ok ugye, hogy a kapufeszültségnek Vt-vel nagyobbnak kell lennie a drain feszültségnél hogy a tranzisztor nyitva legyen, és a kapacitásunk a drain végén csücsül.
Na szerintem ennyi elég is lesz mára...
Ha valami nem világos csakis az én hibám... -
Den
veterán
oké,
FSB Front Side Bus, ezen kommunikál a processzor a (csipkészleten keresztül) a külvilággal, többekközt a memóriával. Valamint ennek frekvenciájából állítja elő a processzor a belső órajelét. Mivel az fsb sávszélessége határozza meg a processzor adatforgalmánk maximumát, ezért ez korlátozza a memóriaátvitel sebességgét. magyarul az fsb-nél ''gyorsabb'' memóriát nem tud a processzor kihasználni. -
róland
veterán
-
napocska
tag
Persze hogy hajlandó, ez nem is volt kérdéses. Hidd el, én is sok dolgot most tanulok, pl. RDRAM felépitést. Az előnyöm csak annyi hogy az SDRAMot meg a DDRt ismerem. Ettől persze az RDRAM még igencsak összetett nekem is. Szingapurban tanultam meg igazán, hogy aki nem kérdez, hülye marad...
A megoldás a két topikra hogy majd benézek oda is, de itt válaszolok, ugy jó? -
-
amdk7
aktív tag
Sziasztok, és gratula a topicért.
Azt írja már le valaki legyetek szívesek, hogy a BIOS-ban mi is az a 4:3-as osztó, és hogyan lehet kiszámolni a PCI, ill az FSB frekiket ebből.
-kicsit hülyén fogalmaztam, de bizti értitek-
Tehát az optimális beállítás érdekelne, de ahhoz tudnom kellene, hogy mi is ez az osztó.
Előre is köszi -
#57
CsendPenge
őstag
ISZOLE
#56
CsendPenge
őstag
Na jó, csak egy kicsit írtam el. (korán volt, nem hatott még a kv) Itt van egy link erről, most találtam: http://www.infohq.com/Computer/ecc-dram.htm
Sajna a kérdésedre nem tudom a választ, én még képen sem láttam ilyen ramot
-
#56
ISZOLE
senior tag
CsendPenge
#53
ISZOLE
senior tag
válasz
CsendPenge
#53
üzenetére
Mi történik ha ECC-s RAMot teszek egy deszkába amibe a nem ECC-s kell?
(Műxik, leszarja az ECC-t;egyáltalán nem műxik;műxik de hibásan) -
#53
CsendPenge
őstag
ISZOLE
#52
-
napocska
tag
ezt én is mondani akartam, csak én nem vagyok gonosz
Amugyis nagyon értékeltem Emvy igyekezetét aki evés előtt vágott neki a magyarázatnak. Csak utána olyan jól beebédelt hogy elaludt a folytatáson
Én meg majd hétvégére átnézem az RDRAMot és referálok. Ugyanis rájöttem arra is hogy modul szinten is más a felépitése (soros adatátvitel), meg az egész csomagszervezéses dolog elég jó ötlet. Amugy a DDR fejlődése is ilyen irányú (2bites prefetch = DDR, 4bites prefetch = QDR, meg a duál alaplapok) csakhát az Rambus jól körülbástyázta magát szabadalmakkal.. -
#49
up
senior tag
hogyishívnak?
#48
up
senior tag
válasz
hogyishívnak?
#48
üzenetére
Igaz! Akkor tévedtem. Hátha van valami ''gyártási-szám-alapján-beazonosítom'' típusú dolog a honlapjukon.
-
#48
hogyishívnak?
aktív tag
up
#46
hogyishívnak?
aktív tag
Azthiszem gyárt:
http://www.samsungelectronics.com/semiconductors/DRAM/DRAM.htm -
#46
up
senior tag
GeorgeTerror
#42
up
senior tag
válasz
GeorgeTerror
#42
üzenetére
Samsung honlapja? Egyébként szerintem a Samsung nem gyárt modulokat, csak chipeket, vagyis amit a tolvajnyelv (legalábbis itthon) Samsung ramnak hív, az csak Samsung chipes noname
. De lehet az is, hogy tévedek. De ha utánanézel, és kiderül, hogy nem is gyárt modulokat, az válasz a kérdésedre . -
up
senior tag
Szerintem hibázott a ramod cas2-n (kitömörítéskor), talán hamarabb próbált kiolvasni egy adatot egy címről, mint hogy az ténylegesen megjelent volna (ez volna a cas lényege, nemde?). Quake nem éppen a megfelelő teszt, mert ott esetleg egy-egy kisebb hibát nem veszel észre. Ajánlom inkább a memtest86 programot, azt hagyd párszor végigfutni, és akkor elmondhatod, hogy stabil a memóriád
. -
#42
GeorgeTerror
senior tag
GeorgeTerror
senior tag
Azt honnan lehet tudni, hogy egy ram modul eredeti samsung, vagy esetleg csak a chipek samsung gyártmányúak.
Emvy! Várom a folytatást -
#41
emvy
félisten
GeorgeTerror
#40
válasz
GeorgeTerror
#40
üzenetére
http://prohardver.hu/rios2_cikk.php?id=153&p=2
Nah.
2 fajta ram van alapvetően:
SRAM és DRAM.
Az SRAMban flip-flopok tárolják az adatokat, 1 bithez több tranzisztor kell, gyors, nem kell frissíteni, kiolvasás után megtartja az értékét. Ilyen sokszor a cache.
DRAMban egy bit 1 db kondenzátor, emiatt sokkal kisebb méretű, ergo nagyobb kapacitású modulokat lehet gyártani belőle, ilyenek az SDRAM, EDO RAM, satöbbi.
Ezeket folyamatosan frissíteni kell, mert a kondenzátorokból elszivárog az áram, és kiolvasott bitet vissza kell írni, mert elveszik az adat
(kajálok picit ) -
#40
GeorgeTerror
senior tag
emvy
#39
GeorgeTerror
senior tag
Naaa!
Kérdeznék én, de olyan buta vagyok, hogy még kérdezni sem tudok.
Kezdjük az alapoktól, és akkor utána kérdezek lehet így?
off
Emvy szeretsz Te előadásokat tartani? Ilyen fullextrásat powerpoint-os, meg mindenféle szép és okos dolgokat mondani?
Ha nem szeretsz mivel lehet rávenni?
on -
#39
emvy
félisten
GeorgeTerror
#38
válasz
GeorgeTerror
#38
üzenetére
Kérdezz
-
#38
GeorgeTerror
senior tag
GeorgeTerror
senior tag
Először is: Emvy dícséret a topikért.
Kérés: nem lehetne a memóriát teljesen az alapoktól áttárgyalni? Mert akkor tök jó lenne.
off
Napocska emil ment
bocs az offért
on -
rvs
aktív tag
kérdezek megint valamit, mert elég érdekes volt a hvgm.
szóval a ram cast átállítottam 2-re 2.5-ről. (ddr266) nem volt vele semmi gond, otthagytam a quake3at egy botmatch-re két óráig, mikor visszamentem, akkor sem fagyott le, gondoltam jó lesz így.
azonban jelentkezett néhány probléma, amit eddig sohasem tapasztaltam. pl. office telepítő kijelenti, hogy az office cd korrupt, mert a .cab belső filemérete nem egyezik meg azzal, amit ő szeretne. no gondoltam te is jó hülye vagy, már 10x+ alkalommal telepítettem róla.
.cab alapú telepítők 50%-nál ilyen hiba. ma reggel próbáltam meg, hogy a cast vissza a régi helyzetbe (nem tapasztaltam olyan rettenetes növekedést, lehet hogy volt, csak vak vagyok ) és láss csodát az office fölmászik gond nélkül.
hát nemmondom.. eddig én voltam lemaradva valamiről, és ez velejárója a memória állítgatásának, vagy egyedi jelenség. -
-
Jó. Annyi sincs.
Max 25%.
És ha veszel egy olyan videokártyát, amelyik 2*annyit tud, mint az előző, akkor miért nem lesz kétszer olyan gyors a rendszered??
Azért, mert nem csak RAMból áll. Valószínűleg memóriaműveleteknél majd' 2x olyan gyors, de egyrészt a CAS kb. ugyanannyi, tehát sok apró memműveletnél már alig gyorsabb, másrészt meg játékoknál nincs annyira sok memművelet. -
napocska
tag
Idemásolom a tocsának irt választ arról, mi köze van a BIOS beállitásoknak a latencyhez.
A 2-2-5-2 és társai BIOS beállitások, de én régóta nem nyultam a BIOSba, mivel nekem csak PC100 SDRAM van, igy a tulhajtás csak álom
Szóval itt az egyes parancskiadási időzitéseket próbálod meg egyenként változtatni, de ezeknek semmi jelentősége a CAS latency szempontjából, mivel az definició szerint azt jelenti melyik élnél kapod az érvényes adatot.
Nagyhirtelen csak ennyit találtam:
http://www.lostcircuits.com/memory/esdram/2.shtml
http://www.radiativenz.com/guides/memoryguide/index.shtml
Mivel itt az egyes parancsok kiadási idejét variálod, ennek lehet valamekkora sebességnövekedési hatása, de szerintem sokkal fontosabb hogy ha jól választod meg őket, akkor nagyobb frekire lehet huzni a cuccost.
Pliz javitsatok ki ha tévednék, mert memóriát még nem tuningoltam. A Fórumban sok jó tuningos van... -
-
#26
napocska
tag
CsendPenge
#20
napocska
tag
válasz
CsendPenge
#20
üzenetére
mér lennél kispályás
-
napocska
tag
A bankszervezésről lehet itt látni ábrát:
http://www.lostcircuits.com/memory/eddr/2.shtml
Kezdjük azzal, hogy egy modulon 8 vagy 9 chip van, szervezéstől függően. Vegyük azt az alapesetet, hogy egyetlen adatvonal van a chipen , azaz 256Mbites chipből van 8 egy modulon. Minden 256Mbites chip belül 4 darab 64Mbites bankból áll. Ezt értettem bank alatt, amiből 4 van egy chipen belül. A sebesség növelése érdekében van 4 bank egy chipen belül, mert amig az egyik bankban előkészited az 1 bit olvasását (Mbites modult feltételezve) addig a másikban elvégezheted az olvasást, és kiadhatod a precharge utasitást. Itt félreértetted a bankszervezést, az egy chipen belül van. Elnézést ha nem voltam teljesen világos.
A teljes felépités amugy több helyen is megtalálható, de én hagy ajánljam a
http://download.micron.com/pdf/datasheets/dram/256msdram_f.pdf
linket, ahol a 4dik oldalon a következő áll :
...dynamic random-access memory containing 268,435,456 bits. It is internally configured as a quad-bank DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Each of the x4’s 67,108,864-bit banks is organized as 8,192 rows by 2,048 columns by 4 bits. Each of the x8’s 67,108,864-bit banks is organized as 8,192 rows by 1,024 columns by 8 bits. Each of the x16’s 67,108,864-bit banks is organized as 8,192 rows by 512 columns by 16 bits.
Magyarra forditva:
...DRAM memória, amely 268,435,456 bitet tartalmaz. Ez belsőleg 4 bankba szervezett DRAM, szinkron interfésszel, ahol minden jel az órajel,CLK felfutó élénél van mintavételezve. Minden 64Mbites bank 8092 sorból és 512, 1024,2048 oszlopból áll, x4, x8, x16 szervezés esetén.
Kifelé a bank szervezés nem látszik természetesen. Továbbá minden chip a modulon 4,8,16 bit szószélességű lehet a valóságban, nem pedig 1 bites. De remélem érted a lényeget, ha valami nem világos, akkor csak kérdezz nyugodtan.
A teljes felépitési vázlat is látható ugyanezen doksi 6,7,8 oldalán. Ha az ábrát idetudtam volna tenni, akkor biztos jobban el tudtam volna mutogatni....
A különbségekről röviden:
EDO RAM nem szinkron müködésű. FPM EDO pedig tud fast page olvasási módot, ami azt jelenti hogy több bitet tudsz kiolvasni új sorcim megadása nélkül, hanem csak az oszlopcimeket kell biztositanod, és a kimeneteid két adat közt high-Z állapotban vannak (sima EDOnál az adat továbbra is érvényes a kimeneteken)
SDRAM szinkron müködésű, minden parancs és adat az órajel felfutó élénél áll rendelkezésre.
DDR SDRAM esetén az adat az órajel felfutó és lefutó élénél áll rendelkezésre. Itt ugyanis 2bites prefetch van (azaz egy sor, de két oszlop van nyitva)
Az RDRAM 32bites prefetchet használ ha jól emlékszem, de mivel a Micron nem gyárt ilyet, ennek nekem is utána kellene néznem.
Itt van egy kis anyag:
http://www.rambus.com/downloads/rdram.128s.0059-1.11.book.pdf
Ebből egy kis kivonat:
- Separate control and data buses (külön adat és vezérlőbusz)
- Separate row and column control buses (külön sor és oszlopcimbusz)
- 32 banks: four transactions can take place simultaneously
at full bandwidth data rates (32 bank, 4 szintü utasitás pipeline)
Low latency features
- Write buffer to reduce read latency (irásbuffer a read latency csökkentésére)
- 3 precharge mechanisms for controller flexibility (3 fajta precharge)
- Interleaved transactions
Organization: 1Kbyte pages and 32 banks, x 16/18 (32 bank, 1kbytos lapméret, 16 vagy 18 adatkimenet)
Azaz sokkal több bank van benne igy 32 bites prefetch van, továbbá szélesebb adatbusz, nagyobb lapméret.
Sajnos FPS DRAMról nem tudok. De utánanézek.
Az effektiv sávszélességet ideális időzitések mellett rögzitik, ami kb azt jelenti hogy mondjuk egy sorról olvassák ki az összes bitet (egy lapot, ún. burst page módban olvasnak), nem szakitják meg az adott müveletet stb. Ilyen a valóságban nincs...
Mára talán ennyi. -
rvs
aktív tag
Én is viszonylag gyík vagyok a témához, ezért kérdezek egyet.
Szal, ha az órajelciklus fel és lefutóágán is lehetne adatot továbbítani, akkor ez miért nem eredményez effektívebb teljesítménynövekedést? Én arra tudok gondolni - de nem értek hozzá - hogy nem az adatmozgatás a sok idő, hanem ez a CASos dolog, vagyis amíg helyileg meghatározza, hogy honnan mit hová..
nagyon hülyeséget mondtam?
Emvy amit belinkeltél doksit megpróbáltam interpretálni, de nekem ez előismeretek nélkül nagyon kínai. -
#21
emvy
félisten
CsendPenge
#20
válasz
CsendPenge
#20
üzenetére
Az SDRAM és a DDR RAM közötti különbség annyi, hogy a tCAS idő után az SDRAMnál órajelenként érkezik egy adatszó, a DDRnél meg minden órajelszintváltásnál. Ezért lehet DDR-nél pl. 2.5-ös CAS latency, SDRnél meg csak egész szám.
-
#20
CsendPenge
őstag
tocsa
#18
CsendPenge
őstag
OFF
Ugyan kispályás vagyok én is ehhez a topichoz mérten, de azért én is írok be
ON
A DRAM az a Dinamic RAM (Random Access Memory), vagyis dinamikus frissítésű. Ez azt jelenti, amit Den mondott, hogy kis kondikat frissíteni kell gyakran, különben elveszik az értéke. Ennek ellenkező megoldási módja a Static RAM, vagyis statikus RAM, ahol az információt flip-flop-ok (billenő áramkörök) helyzetéből eredően az információt az áram vezetésének iránya hordozza. (ha ezt rosszul írtam le, nyugisan moderáljatok bele) No szóval, ez az alap. Ezt fejlesztették tovább. Asszem az első az FPM (és nem FPS, az valami más ) DRAM volt. Ez a Fast Page Mode DRAM rövidítése, vagyis gyors lap mód. Ez azt takarja, hogyha a kiolvasás azonos sorból történik (vagy oszlopból?) akkor nem kell kiadnia a mem. vezérlőnek megint a sor hivatkozást, vagyis bizonyos esetekben gyorsabb. Az EDO DRAM az Extended Data Out DRAM, vagyis növelt kimeneti kapacitású DRAM. Pontosan sajna nem tudom megmondani, hogy ez mit takar, vagy idemoderálják, vagy valaki más majd megmondja 
Az SDRAM pedig a Synchronous DRAM, vagyis szinkron DRAM. Ez -ha jól tudom- azt jelenti, hogy a rendszerbusz frekijével szinkronban megy (ugyan az a frekvenciája, pl. 66MHz, vagy 100, 133, ma ez FSB néven ismert leginkább)
Bővebben itt olvashatsz róla: (de keress rá a google-n, van ott találtat dögivel)
http://www.intel.com/technology/memory/pcsdram/spec/
Ennek van ma két fajtája, az egyik az SDR SDRAM, vagyis Single Data Rate SDRAM, és a DDR SDRAM, vagyis Double Data Rate SDRAM. Nem ismerem pontosan, és részletekbe menően a különbséget ezen memóriák között, így ebbe egyelőre nem mennék bele. (a DDR elméletileg 2x gyorsabb) Az RDRAM pedig a Rambus DRAM rövidítése, de ennél többet már nem most, és nem tőlem fogsz megtudni -
Den
veterán
Bár látom hogy ebben a topicban én kispályás vagyok azért asszem az elméleti és a valós órajel közti különbségre tudom a választ
A felsorolt memóriák közös tulajdonsága hogy dinamikus ramok, ami azt jelenti hogy egy bit egy kapacitással van megvalósítva. Attól függően hogy fel van-e töltve vagy sem 1 vagy nulla az értéke. Mivel ezek nagyon kicsi és egyszerű kondenzátorok, a töltés nagyon gyorsan elszivárog belőlük. így viszont elveszne a bennük tárolt információ, ezért rendszeresen frissíteni kell őket (nem tudom pontosan hány miliszekundumonként de elég gyakran), ezalatt az idő alatt nem lehet írni vagy olvasni.
Az olvasásnál, nem lehet simán rákapcsolni a bitet a szóvezetékre, mert ugyan megtudnánk hogy mennyi az értéke, de ki is sütnénk ezzel. Azért hogy ez ne következzen be az szóvezetéket egy bizonyos feszültségre kell állatani. Ha a bit 0 azaz nincs töltött állapotban, a vezetéken csökkenni fog a feszültség, ha az értéke 1 azaz töltve van, akkor a feszültség emelkedik. viszont olvasás után vissza kell állítani a bit eredeti értékét. Ez mind időbe tellik, és ez üres órajelciklusokat eredményez amikor nem lehet a memóriát írni vagy olvasni. Ezen segít a bankokba rendezés, mert megfelelő kialakítással mindig van a memóriának írható/olvasható része. -
tocsa
senior tag
Bár én csíra vagyok, hadd kérdezzek, mert szakértő válaszol.
Szóval a ''bank'' alatt itt most nem a memória fogalalatot, hanem a memória lapkán (PCB-n, nyák-on) található memória chipeket érted gondolom. Tehát nem dual bankinkról van szó.
De mint írod is, ez a sebesség növelése érdekében van úgy, hogy több memória chip van rajta. És gondolom azért növekszik a sebesség, mert egyszerre olvas a modulokból, vagy nem?
Más:
Meg tudod fogalmazni közérthetően, hogy mi a különbség az FPS DRAM, EDO DRAM, SDR és DDR SDRAM és RDRAM között? Az is érdekelne, hogy ezeknek az effektív sávszélessége miért elméleti csak? -
petakpa1
őstag
OFF
Huhh, miről beszéltek ember???
Azt hittem ilyen késleltetés vs buszfreki, vagy egy-kétoldalas modulokról lesz szó
Ti aztán kenitek a témát, nem is hittem, hogy vannak idehaza olyanok akik ennyire értenek atémához, elvégre itthon nincs semmi komoly hardvergyártás aki programoz az is magas szintő nyelvekben keni. Vagy ebben sincs igazam?
Na mindegy nem offolom szét a topicot elhúztam
csá
ON -
napocska
tag
NMOS gate fesz magas=nyitott
PMOS gate fesz magas=zárt
Ok: NMOSban elektronokat próbálsz a gate alá gyüjteni, ehhez pedig pozitiv feszültség kell.
Elárulom a megfejtést is, miért NMOS van a memóriacelláknál: azonos áramú, sebességü PMOS 3x akkora lenne, ez pedig azt jelentené hogy ma is csak 3ad akkora memóriák lennének... -
napocska
tag
Ugy értem, hogy mivel a kapacitáshoz vezető utat egy NMOS tranzisztor zárja el (miért nem PMOS?) ezért annak gatejére pozitiv Vcc-t kell kötnöd mindaddig amig az érzékelőerősitők el nem végzik a munkájukat. Ezt ugy oldod meg, hogy egy flipflopot (mondjuk D ff) billentesz be addig. Majd a precharge esetén átbillented, igy a szóvezetéken földpotenciál lesz. Ez a következő aktiválásig lesz ebben az állapotában.
Egy elég jó könyv erről
DRAM Circuit Design: A Tutorial
by Brent Keeth, Micron Technology, Inc., and R. Jacob Baker, The Boise State University
Gondolom tudod honnan lehet megszerezni. -
napocska
tag
Szabad hozzászólni?
Nem tom mennyire vagy tisztában a belső felépitéssel (szerintem eléggé, ha ilyen komoly doksikat nézegetsz). Mindesetre a RAM bankokra van osztva a gyorsabb sebesség érdekében, jellemzően 4 bankra. Egy bankon belül 4096-8092 sor van, illetve konfigurációtól függően (4,8,16 bites modul) 512-2048 oszlopra. Miközben az egyik bankot olvasod, addig a másik bankban kinyithatsz egy ujabb sort, és előkészülhetsz az adat feldolgozásásra. Ha azzal készen vagy akkor le kell zárnod a sort. Ez a precharge. A precharge all banks utasitás hatására bármely bankban lévő kinyitott sort lezárod. A bekapcsolás után azért van rá szükség, mert a sorokat flipflopok tartják nyitva, és nem tudhatod hogy bekapcsolásnál melyik billent be. Ha pedig ezt elmulasztod, és több sor van nyitva, akkor az egyik adata felülirhatja a másikat. Szóval erre jó a precharge all.
Olavsás és irás utasitások után vagy szimpla precharge (az adott bankra) vagy precharge all utasitás is lehet, de ez el is maradhat, ha autoprecharge módot válsztottál ki.
Bocs ha túl aprólékos lettem volna, lehet nem csak szakértők kukkantanak ide...
Örülök hogy a Micron ennyire felkeltette az érdeklődésed. Igaz szerintem is nekik van az egyik legjobb dokumentációjuk. -
Nah, azért nyitom, hogy a memóriákkal kapcsolatos izgalmasabb kérdéseket megvitassuk, engem legalábbis érdekel a téma.
Első kérdésem:
Mire való a PRECHARGE ALL BANKS funkció a bekapcsolás után és a többi funkció után?
http://download.micron.com/pdf/misc/JEDEC79R2.pdf
Ezt meg nézegessétek.
Az SDRAM pedig a Synchronous DRAM, vagyis szinkron DRAM. Ez -ha jól tudom- azt jelenti, hogy a rendszerbusz frekijével szinkronban megy (ugyan az a frekvenciája, pl. 66MHz, vagy 100, 133, ma ez FSB néven ismert leginkább)
Aktív témák
- BESZÁMÍTÁS! ASUS Z97-K Z97 chipset alaplap garanciával hibátlan működéssel
- BESZÁMÍTÁS! 64GB (2x32) G.Skill Trident Z NEO RGB 4000MHz DDR4 memória garanciával hibátlan működés
- ASUS ROG STRIX B550-F GAMING alaplap eladó /Garanciás/
- BESZÁMÍTÁS! 64GB (2x32) G.Skill Trident Z RGB 4000MHz DDR4 memória garanciával hibátlan működéssel
- G.Skill Trident Z5 DDR5 6000 MHz 2x16 GB RAM eladó
- Telefon felvásárlás!! Samsung Galaxy A22/Samsung Galaxy A23/Samsung Galaxy A25/Samsung Galaxy A05s
- MSI Sword 16 - Core i7 / RTX 4050 / per key RGB / magyar garancia
- Macbook Pro 2019 15"// i7 // 512GB // Számla+Garancia //
- Dell Optiplex 7050 SFF + Quadro K620
- Xbox Game Pass Ultimate előfizetések kedvező áron
Állásajánlatok
Cég: PCMENTOR SZERVIZ KFT.
Város: Budapest
Cég: CAMERA-PRO Hungary Kft.
Város: Budapest