Aktív témák

• #8 napocska tag emvy #6

  2003-02-28 19:30:38 #8

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  napocska

  tag

  válasz emvy #6 üzenetére

  Ugy értem, hogy mivel a kapacitáshoz vezető utat egy NMOS tranzisztor zárja el (miért nem PMOS?) ezért annak gatejére pozitiv Vcc-t kell kötnöd mindaddig amig az érzékelőerősitők el nem végzik a munkájukat. Ezt ugy oldod meg, hogy egy flipflopot (mondjuk D ff) billentesz be addig. Majd a precharge esetén átbillented, igy a szóvezetéken földpotenciál lesz. Ez a következő aktiválásig lesz ebben az állapotában.
  Egy elég jó könyv erről
  DRAM Circuit Design: A Tutorial
  by Brent Keeth, Micron Technology, Inc., and R. Jacob Baker, The Boise State University
  Gondolom tudod honnan lehet megszerezni.

Aktív témák