Új hozzászólás Aktív témák

• #42 Yany addikt DraXoN #40

  Új Válasz 2019-03-30 18:40:32 #42

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Yany

  addikt

  válasz DraXoN #40 üzenetére

  Az így nyert tágabb TDP keretre viszont a többi alkatrésznek is fel kellene készülnie. Ez nem ilyen egyszerű, hogy ha a chip maga bírja, akkor minden rendben van.

• #41 Reggie0 félisten DraXoN #40

  Új Válasz 2019-03-30 18:37:13 #41

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Reggie0

  félisten

  válasz DraXoN #40 üzenetére

  A szilicium alapu felvezetok akar 450-500 fokig is mehetnek, egyaltalan nem ez az oka. Raadasul a szivargasi aram, amire utalni szeretnel nem a szilicium ellenallasabol adodik, hanem a P es N adalekolt reszekben levo tolteshordozok(lyukak es elektronok) aranyainak eltolodasabol adodik, valamint a vezetesi es a valencia sav kozeledesetol.

  Germaniummal sem feltetlen kell vacakolni, ott van a SOI, azaz silicon on insulator technologia, csak hat ugy nehez procit kihozni, vagy akar a szilicium karbid. Manapsag egy bonyolultabb IC is siman megy 100...125 fokig, lasd nagyobb FPGA-k. Meg talan nagyobbak is, mint egy processzor.

Új hozzászólás Aktív témák