Hirdetés
- Mindenkinél több és erősebb AI gyorsítót ígér Elon Musk
- M.2 csatlakozók terén (is) jónak ígérkezik az MSI közelgő AMD-s alaplapja
- Kivégezheti a kisebb VGA-gyártókat az NVIDIA döntése
- Szinte a semmiből robbanna be az 1,4 nm-es eljárásával a Rapidus
- Félszáz terabájtos HDD-k előtt nyitotta ki az ajtót a Seagate
Aktív témák
-
DcsabaS
senior tag
A DDR és a DDR2 SDRAM alapjában véve ugyanazokat a DRAM cellákat tartalmazza, vagyis ilyen elemi szinten NEM különböznek (azonos félvezető technológián). CSAK AZ INTERFACE áramkörben van különbség - mégpedig olyan vonatkozásban, hogy az órajelnek és az átviteli frekvenciának mi az aránya. Az interface áramkör pedig mindkét (DDR és DDR2) RAM fajtánál is egyaránt logikai, tehát ugyanúgy lehet nehéz, vagy könnyú egy bizonyos frekvenciára méretezni.
Másszóval, amikor az előállíthatóság nehézségét nézzük, akkor a MAXIMÁLIS ÁTVITELI FREKVENCIA a döntő, tehát a DDR2-800 előállítási nehézsége _NEM_ a DDR400-éhoz, hanem a DDR800-éhoz hasonlítható!!! (Valójában manapság DDR600-nál, illetve DDR2-600-nál járnak.)
Természetesen a RAM modul órajele, illetve átviteli frekvenciája is értelmes viszonyban van az egyes belső DRAM cellák megengedhető maximális működési frekvenciájával. (Ez utóbbiak frekvenciája még a modul órajelének is csak a töredéke!) Mindenesetre nincs akadálya annak, hogy ugyanazon belső DRAM cellákat felhasználva (tehát azok frekvenciáját nem megváltoztatva) növeljük meg a RAM modul órajelét és átviteli frekvenciáját, csak persze akkor több késleltetési ciklust kell beépíteni. Ezért amikor egy RAM modulnál úgy érik el a magasabb órajelet és átviteli frekit, hogy közben növekszik a latencia, az azt mutatja, hogy a belső DRAM cellák nem gyorsultak megfelelő arányban (esetleg egyáltalán nem), ami csöppet sem meglepő, ha egyszer ugyanazt a félvezető technológiát használják, mint korábban.
Az egész nagyon hasonlít ahhoz, mint amikor a HDD-re gyorsabb interface-t (pl. UDMA100 helyett UDMA133-at) szerelnek, miközben a belseje (a lemezek forgása, a fejek száma és az írás sűrűsége) változatlan marad.
Világos, hogy van valami értelmes határa annak, hogy meddig érdemes gyorsítani az interface áramkört, amíg azt nem követi a belső DRAM cellák gyorsulása. De ez független attól, hogy DDR, vagy DDR2 memóriát használunk-e, mindkét RAM fajtánál ugyanúgy számít. Ha pedig nem csak az interface-t szeretnénk gyorsítani, vagyis ''igazi'' gyorsulást szeretnénk, akkor ahhoz finomabb félvezető technológián gyártott DRAM cellák kellenek (eltekintve a nagyobb bit-szélesség alkalmazásának lehetőségétől), ez viszont egyszerre gyorsítja a DDR-t és a DDR2-őt.
Szóval sem a mostani, sem a későbbi félvezető technológián nincs döntő fölénye a DDR2-nek a DDR fölött - ha a DDR-be is beépítik a hullámellenálással való automatikus lezárást.
Aktív témák
- Kerékpárosok, bringások ide!
- Parfüm topik
- Az iPhone Air buktája elkaszálhatta vékonyítási lázat
- HiFi műszaki szemmel - sztereó hangrendszerek
- Jövedelem
- NAS problémák
- Diablo II: Classic és Resurrected
- NFL és amerikai futball topik - Spoiler veszély!
- A Sony is belépett a 200 megapixeles klubba
- Synology NAS
- További aktív témák...
- GYÖNYÖRŰ iPhone 14 Pro 128GB Deep Purple -1 ÉV GARANCIA - Kártyafüggetlen, MS3555,100% Akkumulátor
- ÁRGARANCIA!Épített KomPhone i5 14400F 32/64GB DDR5 RTX 5060 Ti 8GB GAMER PC termékbeszámítással
- 3DKRAFT.HU - 3D NYOMTATÁS - AZONNALI ÁRAJÁNLAT - GYORS KIVITELEZÉS - 500+ POZITÍV ÉRTÉKELÉS
- BESZÁMÍTÁS! MSI A620M R5 7600 32GB DDR5 512GB SSD RTX 3060TI 8GB Zalman Z1 Plus XFX 650W
- Telefon felvásárlás! Samsung Galaxy A15, Samsung Galaxy A25, Samsung Galaxy A35, Samsung Galaxy A55
Állásajánlatok
Cég: BroadBit Hungary Kft.
Város: Budakeszi
Cég: Laptopműhely Bt.
Város: Budapest


