Új hozzászólás Aktív témák

• #3 demagóg aktív tag

  Új Válasz 2016-05-23 16:29:16 #3

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  demagóg

  aktív tag

  A vállalat a problémák gyakorlati megoldásával sikeresen elérte azt, hogy a PRAM cellái egymillió írási vagy törlési ciklust is kibírjanak, ami rendkívül jó eredménynek számít a NAND flash technika ezres nagyságrendű korlátjaihoz viszonyítva.

  Tehát vannak még gondok. Mert emlékeztetőül csak annyit jegyeznék meg, hogy miután a Toshiba 1985 környékén lerakta a flash alapú tárolás alapjait, 1995 környékén (de lehet, hogy már hamarabb is) a flash cellák írási száma 1 millió illetve ipari célra 10 millió felett volt garantálva. Ezek a chipek természetesen most is gyártásban vannak, de a felhasználási kör most is az ipari környezet illetve a fix tartalom tárolása (pl. FW) és nem a felhasználó gyakran változó adatainak a tárolása. Ezeknek a masszív chipeknek a kapacitása normál adattárolásra alkalmatlan (a sebesség szintén). A cikkbeli 32Mbit PRAM kapacitás szintén csak prezentációra alkalmas, mert a flash által 20 éve már biztosított paraméterek miatt nem érdemes váltani, oda jó lesz továbbra is az 1-10 milliós írásszámú flash memória. Ha a PRAM is a flash útjára lép, akkor itt is az írás számot kell feláldozni a kapacitás növelése érdekében. Ami nem akkora gond, a gyakorlatban a flash is jól elvan a néhány ezres írásciklussal. A PRAM előnye akkor jöhet elő, ha az egyéb paraméterek lesznek sokkal jobbak mint a flash chip már határokat feszegető tulajdonságai.

Új hozzászólás Aktív témák