Új hozzászólás Aktív témák

• #19 Abu85 HÁZIGAZDA kalimist #18

  Új Válasz 2021-12-02 13:33:07 #19

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Abu85

  HÁZIGAZDA

  válasz kalimist #18 üzenetére

  A Samsungnál az 5LPE az egy 7 nm-es node half-node-ja. Eközben a TSMC-nél az 5 nm egy full node. A Samsung majd a 4LPE-ben hoz újra full node-ot.

  A Samsung-féle 3GAE az messze lekörözi a TSMC 3 nm-jét is, majd a TSMC 2 nm-je tud vele mit kezdeni. Ez a GAAFET előnye. A TSMC még megpróbálkozik a FinFET-tel 3 nm-en, ami már nagyon a működőképesség határa. Korábban 4 nm-re mondták azt, hogy tovább nem skálázódik.

Új hozzászólás Aktív témák