Új hozzászólás Aktív témák

• #15 Abu85 HÁZIGAZDA Busterftw #14

  Új Válasz 2021-12-02 11:22:39 #15

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Abu85

  HÁZIGAZDA

  válasz Busterftw #14 üzenetére

  Az Intel 14 nm-es node-ja nem bír jobb értékekkel, mivel az erre épülő lapkák, amikor még megadták a tranyószámot, 15 millió tranyó/mm2-rel dolgoztak.
  
  Itt azt keveritek össze, hogy az Intel hoz egy adatot egy szimpla gyűrűs oszcillátorról, aminek a töredékét tudja egy komplex lapkaként az adott node. Ez jól látszik amúgy a TSMC korábbi adatainál is, mert régen csináltak egy ARM tesztlapkát és egy gyűrűs oszcillátort. Utóbbival mindig legalább dupla akkora volt a tranyósűrűség, mivel a gyűrűs oszcillátor egy jól skálázható elem.
  
  A valóság az, hogy itt nem a TSMC és a Samsung füllent, és ez jól ellenőrizhető azokkal a lapkákkal, amelyekre meg van adva a tranzisztorszám. Nyilván az Intel okkal nem adja meg mindre, mert ugye nem nagyon akarják ők, hogy ezeket hasonlítgassák a TSMC és a Samsung node-ok valós lapkáinak tranzisztorszámához. Legalább másfél generáció hátrányuk van itt.

Új hozzászólás Aktív témák