Új hozzászólás Aktív témák

• #98198 tordaitibi veterán Reggie0 #98197

  Új Válasz 2024-12-18 19:31:17 #98198

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  tordaitibi

  veterán

  LOGOUT blog

  válasz Reggie0 #98197 üzenetére

  Pontosan csak nem akartam belemélyedni a gate felületének méretébe.
  Ami eléggé egyenes arányos a nyitott csatorna ellenállásával.
  
  Igbt vonalon nem teljesen értek egyet veled.
  Fetnek csatornaellenállása van, igbt-n meg feszültségesés.
  Adott, pl. 50A áramnál:
  fet, 1,5mohm, 3,75W disszipáció
  igbt, 0,6V esik, 30W disszipáció.
  
  Véleményem hogy kis feszültségen, 80-100V a fet jobb,
  nagyobb feszültségen meg az igbt.
  mivel egy nagyfeszültségű fetnek már sokkal nagyobb a csatornaellenállása és itt már egy igbt kimenet, bipoláris tranzisztor előnyösebb.
  Sokkal robosztusabb és strapabíróbb kialakítás de ezek az előnyök 5-600V felett érvényesülnek igazán.
  
  Fenntiek a saját meglátásaimat tükrözik, mindenre nyitott vagyok a témában, észérvekre pláne.
  
  
  
  
  

Új hozzászólás Aktív témák