Új hozzászólás Aktív témák

• #13 Badman 4ever őstag Pug #9

  Új Válasz 2012-01-25 17:16:54 #13

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Badman 4ever

  őstag

  válasz Pug #9 üzenetére

  Továbbra is csak az MRAM-ot tartom járható útnak, itt is volt róla hír:
  Sőt, az MRAM óriási előnye az előbbi technológiákkal szemben, hogy a cellák sosem fáradnak el, vagyis nincs maximalizálva az írási ciklusok száma.
  A Wikipédia jól összefoglalja az előnyeit:
  MRAM has similar performance to SRAM, similar density of DRAM but much lower power consumption than DRAM, and is much faster and suffers no degradation over time in comparison to flash memory.
  ...
  in general MRAM proponents expect much lower power consumption (up to 99% less) compared to DRAM

  Nem hal meg a sok írástól, nem lassú és keveset fogyaszt.

• #10 dchard veterán Pug #9

  Új Válasz 2012-01-25 17:08:18 #10

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  dchard

  veterán

  válasz Pug #9 üzenetére

  Ott az igazság, pontosan erről van szó:

  RAM-nak nem jó, mert a rengeteg írás tönkreteszi.

  Háttértárnak meg túl drága és kicsi a kapacitása.

  Ha az elviselhető írások számát fel tudnák nyomni a 10-es szorzó helyett 20-30-szorosra, és képesek lennének 32nm-en 8, esetleg 16gbites lapkákat gyártani, akkor lesz majd ez versenyképes, de akkor is csak háttértárnak: ahhoz hogy ebből RAM legyen, nagyságrendekkel kéne növelni az írási ciklusok számát amire nincs reális esély a technológia működéséből fakadóan.

  Arról nem beszélve, hogy pontosan melyik NAND típushoz képest számolták a 10x szorzót az írások tekintetében? A 25nm-es nand lapkákhoz képest a 10x például nem valami sok, és ez egyre csak rosszabb lesz ahogy haladunk lefelé.

  Dchard

Új hozzászólás Aktív témák