Alig három hete írtunk a Hynix és a Toshiba összefogásáról, melynek kapcsán a két vállalat az MRAM (Magnetoresistance Random Access Memory) tömeges alkalmazhatóságára törekszik. A technológia mágneses elven működő rétegeket alkalmaz, melyek a polarizáció módosításával képesek az adattárolásra. A rétegek párosával értendőek, vagyis az egy bitet tároló cellákon belül kettő található ezekből. Az egyik réteg polaritása állandó, míg a másik rétegé áram segítségével megváltoztatható. Ennek megfelelően a cellán belül két állapot állhat fent, azaz a rétegek polaritása vagy megegyezik, vagy eltér. Ez a különbség teszi lehetővé az információk tárolását. Természetesen az MRAM nem felejtő memória, így – a PRAM mellett – a flashmemóriák leváltására kiválóan alkalmasak. Sőt, az MRAM óriási előnye az előbbi technológiákkal szemben, hogy a cellák sosem fáradnak el, vagyis nincs maximalizálva az írási ciklusok száma.

Grandis néven bejegyzett vállalat a Spin Transfer Torque elven működő, azaz az STT-MRAM fejlesztése szempontjából nagyon előkelő helyet foglal el a konkurensekhez viszonyítva, így a Samsung a cég felvásárlásával megörökölte ezt a pozíciót, továbbá több mint hatvan MRAM-mal kapcsolatos szabadalom tulajdonosa lett.

Az MRAM tömeges gyártása még nagyon messze van, így a Samsung számára ez az üzlet csak hosszútávon fog megtérülni. Mindenesetre a súlyos gyártástechnológiai gondokkal küszködő flashmemóriákban már nagyon kevés fejlesztési potenciál van, így a PRAM és később az MRAM jövője biztosított lehet.