Az Elpida bejelentette, hogy elkészültek egy ReRAM memórialapka prototípusával, melyet a NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organisation) közreműködésével fejlesztettek ki. Az 50 nm-es gyártástechnológiára alapozó többcellás chip kapacitása 64 megabit. Ez nem hangzik manapság soknak, de meg kell jegyezni, hogy a ReRAM kategórián belül az eddig elért legnagyobb kapacitásról beszélhetünk.

A ReRAM, azaz a Resistive Random Access Memory néven emlegetett megoldás a memrisztorra épül, amelyet a negyedik passzív áramköri elemnek tartanak. A memrisztor a memory resistor rövidítésből alakult ki, azaz emlékező ellenállást jelent. Ez a név a technológia legnagyobb előnyére utal, vagyis a többi passzív áramkörrel ellentétben a memrisztor az áram lekapcsolása után is emlékszik annak erősségére, valamint azt is megjegyzi, hogy mennyi ideig, milyen irányból folyt át rajta, hiszen az ellenállás nőhet és csökkenhet függően az áram irányától. Ennek megfelelően a memrisztor áram hatására rögtön képes felvenni az utolsó állapotot, azaz ideális memória lehet belőle az adatok tárolására.

Az Elpida szerint ReRAM alapvetően a DRAM és a NAND flash előnyeit egyesíti, mivel a teljesítménye a DRAM lapkákkal vetekszik, miközben nem felejtő memóriáról van szó, emellett tízszer több írási ciklust visel el, mint egy NAND flash memória, ami nagyon jó érték. Szintén komoly előny lehet a nagyon alacsony fogyasztás, így az ultramobil termékek piacán könnyen megvetheti a lábát a technológia.

Az Elpida terve, hogy 2013-ra tömeggyártásba kerüljön egy 30 nm-es gyártástechnológián készülő 1 gigabites ReRAM lapka.