Hirdetés

  2. Fórumok
  3. Alaplapok, chipsetek, memóriák
  4. Elsőként veti be DRAM lapkák gyártásához a High-NA EUV-t az SK Hynix

Új hozzászólás Aktív témák

  • #4 LordAthis csendes tag
    Új Válasz #4
    Új hozzászólás
    Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra
    Privát üzenet küldése

    LordAthis

    csendes tag

    1,7 - 2,9:

    A két szám látszólag nem arányos, de valójában két különböző, de összefüggő dolgot mér.
    Az 1,7-szeres csökkenés a tranzisztorok egyedi méretére vonatkozik.

    A High NA EUV technológia lényegében egy sokkal precízebb "fényes nyomtató". A magasabb numerikus apertúrájú lencse (High NA) lehetővé teszi, hogy vékonyabb, élesebb vonalakat rajzoljanak a szilíciumlapkára.[1 - 2 - 3 - 4 - 5] Gondolhatunk rá úgy, mintha egy sokkal jobb tollat vennénk a kezünkbe: vékonyabb vonalakat lehet húzni ugyanazzal a mozdulattal...

    A 2,9-szeres növekedés a tranzisztorsűrűségre vonatkozik, azaz arra, hogy egy adott területre (pl. egy négyzetmilliméterre) hány tranzisztort tudnak pakolni.
    Az a kapcsolat közöttük, hogy a tranzisztorsűrűség nem lineárisan, hanem négyzetesen nő a méret csökkenésével. Egy egyszerű analógia: ha egy kocka élének a hosszát felezed (2-szer kisebb), akkor a felületét négyzetesen (2² = 4-szer) kisebbedik, így négyszer annyi fér rá ugyanarra a területre.

    Itt hasonló a helyzet.
    A tranzisztorok lényegében kétdimenziós elrendezésben helyezkednek el a lapkán. A 1,7-szer kisebb lineáris méret azt jelenti, hogy a területük (1,7)² ≈ 2,9-szer kisebb lett. Ezért fér rá közel háromszor annyi tranzisztor ugyanarra a helyre, ami pontosan meg is jelent a sűrűség 2,9-szeres növekedésében.

    Összefoglalva:
    - 1,7x kisebb: Egy tranzisztor fizikai mérete (pl. szélessége)
    - 2,9x sűrűbb: Az összes tranzisztor egy adott területen (a méret négyzetes csökkenésének köszönhetően)

    Remélem, így már átláthatóbb.

  • #3 tibaimp nagyúr
    Új Válasz #3
    Új hozzászólás
    Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra
    Privát üzenet küldése

    tibaimp

    nagyúr

    Vagyis ezzel a gyártással majd 128 sőt 256GB-os "normál" RAM modulok is építhetőek lesznek, de lehet keveset mondtam....
    Most a DDR5-ben 1 modul max 64GB-os, de tuti van 48GB-os!

  • #2 Vela csendes tag
    Új Válasz #2
    Új hozzászólás
    Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra
    Privát üzenet küldése

    Vela

    csendes tag

    "miközben a tranzisztorsűrűség akár 2,9-szer kisebb lehet "

    Én eddig úgy gondoltam, hogy ha kisebb tranzisztorokat gyártanak akkor az egységnyi felületre jutó tranzisztorok mennyisége nő (magyarul a tranzisztorsűrűség nő). -
    De a mai világban már lehet, hogy ez is megváltozott. :))

  • #1 Kotomicuki senior tag
    Új Válasz #1
    Új hozzászólás
    Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra
    Privát üzenet küldése

    Kotomicuki

    senior tag

    Azért a RAM-féleségeknél fontos tulajdonság a töltéstárolás milyensége, amit a méretcsökkenés nem biztos, hogy kedvező irányba mozdít el.
    Tehát itt a méretcsökkentés a legkisebb probléma és a szigetelés&frissítés sokkal lényegesebb, hogy megtudják-e oldani a méretcsökkentés által támasztott, új elvárásoknak megfelelően.

    Viszont, ha minden egyes szabvánnyal tovább nő a késleltetés, akkor lehet, hogy (a "gyorsaság" növelése és) a fogyasztáscsökkenés jótékony hatással lehetne a régebbi, már bejáratott szabványokra is - pl. DDR3 - , aminél esetleg a sávszélességet kéne csak megnövelni - több sáv/csatorna - és újra ringbe szállhatnának, bizonyos területeken... :U

Új hozzászólás Aktív témák

Hirdetés