Új hozzászólás Aktív témák

• #6574 And veterán Batman2 #6573

  Új Válasz 2009-02-19 20:27:28 #6574

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  And

  veterán

  válasz Batman2 #6573 üzenetére

  "Tehát akkor a tranyó Pd értéke az a teljes áramkör teljesítményéből a tranyóra eső rész, amit az fogyaszt el (és ad le hő formájában), így kell érteni ??"
  Igen. Ennek a maximális értéke limitált, de mint írtam, ez eléggé elméleti érték, mert végtelen hűtőfelülettel (vagyis a hűtőborda és a környezet között nulla hőellenállással) számol, ez pedig a gyakorlatban csak közelíthető. Többek között ezért sem tervezünk határérték közelébe disszipációt.
  A kapcsolóüzemű működés közben keletkező hőt sok dolog befolyásolja. A hő statikus állapotban a terhelés bekapcsolt állapotában (maximális draináram mellett) keletkezik, mivel egy lezárt fet csak legfeljebb µA nagyságrendű draináramot vezet. A nyitott állapotra jellemző Pd= Id^2 * Rds_on érték nyilván nagyságrendekkel nagyobb a lezárt fet által disszipált teljesítménynél. Ezért statikus állapotban az Rds_on értéke a meghatározó. Igen ám, de a kapcsolóüzem ill. a PWM arról szól, hogy időegység alatt rengetegszer kapcsolgatjuk ki-be az eszközt. Ilyenkor jön a képbe a kitöltési tényező, a kapcsolási (PWM-) frekvencia és az átkapcsolás időtartama. A két állapot közötti átmenet (lineáris üzem) a statikus bekapcsolt állapotnál is nagyobb hőveszteséget eredményez, mivel a kapcsolóeszközön még/már folyik valamekkora áram, miközben az Uds-feszültsége sem minimális. Ezért az átkapcsoláskor rövid időre impulzusszerűen megnő a disszipáció értéke. Az átkapcsolás időtartama nem lehet nulla, hanem egy véges érték, mivel a fet bemeneti kapacitása csak limitált Ugs-meredekséget tesz lehetővé. Ez a meredekség pedig a meghajtóárammal áll összefüggésben, mert adott gate-töltést (amely típusra és munkapontra jellemző adat) adott idő alatt mozgatni meghatározott áramot igényel. Vagyis gyors átkapcsolás -> nagy meghajtó áramimpulzus. Pl. az integrált kivitelű mosfet-driverek legjellemzőbb adata az a csúcsáram, amelyet biztosítani tudnak a gate számára. Ahogy az átkapcsolás időtartama a teljes kapcsolási periódus egyre nagyobb hányadát foglalja el, a disszipáció átlagos értéke egyre jobban megnő. Így hiába marad ugyanakkora (akár tisztán rezisztív) a terhelés, a kapcsolási frekvencia növelésével a fet disszipációja növekedni fog.
  "A normál tranyó és a FET összehasonlítást úgy értettem, hogy ugyazon Pd max. (vagyis azonos hőkibocsájtás) értékü bipoláris tranyó és MOSFET esetében a MOSFETek nagy előnyben vannak a tranyókkal szemben, mivel sokkal nagyob teljesítményt tudnak kapcsolni, azonos hőkibocsájáts mellett !"
  Mégegyszer: általános esetben Pd <> Pd_max! A maximális Pd nem hőkibocsátás, hanem disszipációs képesség. A gyakorlatban ezért nem feltétlenül hasonlítható össze az általad leírt módon egy mosfet és egy bipolár kapcsolóeszköz. A Pd_max nem kiindulási alap, hanem éppen olyan limit, mint az Uds_max / Uce_max, vagy az Id_max / Ic_max, amelyektől szintén függ a 'kapcsolható teljesítmény'. Ha adott terhelőáramnál veszünk egy mosfetet, amelynek az Id * Rds_on szaturációs feszültsége nagyobbra adódik, mint egy hasonló Pd_max értékű bipoláré, akkor utóbbival jártál jobban (statikus bekapcsolást feltételezve). Más kérdés, hogy általában adott terheléshez keresünk kapcsolótranzisztort, és nagy áramhoz szinte biztosan találunk olyan fetet, amelyet extrém alacsony csatornaellenállás jellemez, így jobb hatásfokkal kapcsolható be, mint egy bipolár. Cserébe tolhatjuk bele az A-es nagyságrendű gate-áramimpulzusokat, mivel a kis csatornaellenállás általában nagy gate-töltéssel (gate kapacitással) párosul.

Új hozzászólás Aktív témák