Hirdetés

  2. Fórumok
  3. Egyéb hardverek
  4. Valójában 5 nm-es node-on készül az új Snapdragon

Hirdetés

!! SZERVERLEÁLLÁS, ADATVESZTÉS INFORMÁCIÓK !!
Talpon vagyunk, köszönjük a sok biztatást! Ha segíteni szeretnél, boldogan ajánljuk Előfizetéseinket!

Új hozzászólás Aktív témák

  • #24 Alogonomus őstag
    Új Válasz #24
    Új hozzászólás
    Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra
    Privát üzenet küldése

    Alogonomus

    őstag

    Jelenleg egyetlen nagyjából használható példa van a Samsung és TSMC technológiájával elérhető tranzisztorsűrűség összevetésére, és az az Ampere GPU.
    A Samsung 8N technológiával készülő GA102 628 mm² területen tartalmaz 28,3 millió - Ampere architektúrának megfelelő - elrendezésű tranzisztorhalmazt.
    A TSMC N7 technológiával készülő GA100 pedig 826 mm² területen tartalmaz 54,2 millió - Ampere architektúrának megfelelő - elrendezésű tranzisztorhalmazt.
    Vagyis az - Ampere architektúrának megfelelő - tranzisztorhalmazból a Samsung 8N technológiával 45,1 MTr/mm² érhető el, a TSMC N7 technológiával 65,6 MTr/mm² érhető el.
    A kvázi azonos design miatt ennél függetlenebb összehasonlítás valós használatra tervezett chipek esetén nem található.

Új hozzászólás Aktív témák