Az Intel bejelentette, hogy elkészültek saját Spin Transfer Torque elven működő, STT-MRAM vagy ST-MRAM fejlesztésükkel, amelyet beágyazott formában már 22 nm-es FinFET node-on is képesek gyártani.

Mint ismeretes az MRAM (Magnetoresistance Random Access Memory) technológia mágneses elven működő rétegeket alkalmaz, amelyek a polarizáció módosításával képesek az adattárolásra. A rétegek párosával értendőek, vagyis az egy bitet tároló cellákon belül kettő található ezekből. Az egyik réteg polaritása állandó, míg a másik rétegé áram segítségével megváltoztatható. Ennek megfelelően a cellán belül két állapot állhat fent, azaz a rétegek polaritása vagy megegyezik, vagy eltér. Ez a különbség teszi lehetővé az információk tárolását. Az MRAM jelenleg az egyik legnagyobb ígéret az egyre több problémával küszködő flashmemóriák leváltására, és ami kifejezetten kedvező az előbbi megoldásokkal szemben, hogy az MRAM cellák sosem fáradnak el, vagyis elméletben nincs maximalizálva az írási ciklusok száma. A gyakorlatban már más a helyzet, de annyira magas a terhelhetőség, hogy ezzel az értékkel felesleges foglalkozni.

Az Intel beágyazott MRAM IP-je (szellemi tulajdon) egyébként 7 megabites, tehát azért a kapacitás szempontjából nagyon messze van konkurens megoldásoktól, amelyek már inkább az 1 gigabit közelében, illetve ezen túl járnak, ugyanakkor az Intel megoldásának megvan az az előnye, hogy FinFET node-on gyártható. Ez azért lényeges, mert így beágyazható egy szintén FenFET gyártástechnológiával készülő rendszerchipbe, szemben a konkurens megoldásokkal, amelyek jelenleg bulk eljárást használnak, valamint a továbblépés tekintetében is inkább az FD-SOI-val szemeznek.

Az Intel a fejlesztését elsődlegesen az IoT-piacon érdekelt partnereinek szánja, hiszen ezen a területen azért vannak olyan eszközök, amelyeknek megfelelő az aktuális MRAM dizájnjuk kialakítása, illetve a cég gyakorlatilag ezzel a beágyazott IP-vel csábítanak magához olyan ügyfeleket, amelyek a 22 nm-es FinFET gyártókapacitás iránt is érdeklődhetnek.