Majdnem két éve annak, hogy az Everspin 1 gigabites MRAM lapkájáról írtunk, amelynek a tervezése ugyan nem haladt túl gyorsan, de az előző esztendő decemberében már szállította a mintákat a cég. A fejlesztés a végéhez közeledik, ugyanis megkezdődött a kísérleti gyártás, amelyet még az év második felében követni fog a tömegtermelés fázisa.
Az EMD4E001G jelzésű memória a GlobalFoundries 28 nm-es node-ján készül és 1 gigabites kapacitást kínál. A vállalat 8 és 16 bites DDR4 interfészre (ST-DDR4) ültetett verziókat is kínálni fog, JEDEC-kompatibilis BGA tokozással. Ez egy memóriára levetítve maximum 1333 MT/s-os tempót jelent.
Az MRAM (Magnetoresistance Random Access Memory) technológia egyébként mágneses elven működő rétegeket alkalmaz, amelyek a polarizáció módosításával képesek az adattárolásra. A rétegek párosával értendőek, vagyis az egy bitet tároló cellákon belül kettő található ezekből. Az egyik réteg polaritása állandó, míg a másik rétegé áram segítségével megváltoztatható. Ennek megfelelően a cellán belül két állapot állhat fent, azaz a rétegek polaritása vagy megegyezik, vagy eltér. Ez a különbség teszi lehetővé az információk tárolását. Az Everspin Spin Transfer Torque elven működő, azaz STT-MRAM memóriát fejlesztett, ami az eddig ismert legmodernebb megvalósítása a koncepciónak.
A fejlesztés továbbra is a beágyazott piacot célozza, ahova a korábbi 256 megabites verzió készült, de 1 gigabites kapacitás mellett kibővülnek a lehetőségek, így szélesebb szegmens fedhető le.
