A Samsung bejelentette, hogy megkezdték az ötödik generációs V-NAND lapkák tömeggyártását. Ezek az elődhöz képest már nem 64, hanem 96 cellaréteget használnak, viszont marad a cellánkénti három bit tárolása, azaz TLC-s megoldásokról van szó.
A másodpercenkénti 1,4 gigabites teljesítményt is biztosító, 256 gigabites kapacitású memória nagyjából 40%-kal gyorsabb az elődnél, és ezt főleg annak köszönheti, hogy Toggle DDR 4.0-s interfészt használ. Emellett az energiahatékonyság szempontjából is érezhető lesz az előrelépés, mivel az új fejlesztés – a korábbi 1,8 V helyett – már 1,2 V-os feszültséggel is beéri. Az adatok írására vonatkozó késleltetés is 30%-kal javult, konkrétan 500 mikromásodpercre, míg olvasás során ez 50 mikromásodperc, és ez szintén az eddigi legjobb érték, amit a Samsung elért.
A Samsung nagyon részlegesen nem taglalta a gyártástechnológiát ért változásokat, de annyit elárultak, hogy a cellarétegek magassága 20%-ka kisebb, ezért is tudtak többet beépíteni, emellett a gyártási termelékenységet is sikerült 30%-kal javítani.
A Samsung az új V-NAND lapkák gyártását gyorsan fel akarja pörgetni, így biztosítva a legújabb fejlesztések nagy mennyiségű elérhetőségét a partnerek számára. A vállalat elárulta még, hogy a következő lépcső az 1 terabites, QLC-s V-NAND lapka lesz, de ennek a gyártását még csak előkészítik.
