A Samsung bejelentette, hogy felpörgetik a negyedik generációs V-NAND lapkák gyártását. Ezek 64 cellaréteget használnak, továbbá a cellák három bitet tárolnak, azaz TLC-s megoldásokról van szó.
A másodpercenkénti 1 gigabites teljesítményt is biztosító, 256 gigabites kapacitású memória az elődnek számító 48 cellarétegű, szintén 256 gigabites fejlesztéshez képest az energiaigény tekintetében kínál komoly előnyt, ugyanis 2,5 V-os bemeneti feszültséggel is beéri, míg a korábbi generációs fejlesztésnek 3,3 V kellett. Ez összességében 30%-kal jobb energiahatékonyságot eredményez. Emellett a cellák élettartama is 20%-kal nőtt a korábbi generációhoz képest, ami szintén nem elhanyagolható szempont.
A Samsung tervei szerint mostantól a havi NAND flash lapkákra vonatkozó termelés több mint felét a 64 cellarétegű, negyedik generációs, TLC-s V-NAND megoldás fogja kitenni, amire azért van szükség, mert az év későbbi részében több új SSD-vel is készül a vállalat.
A későbbi fejlesztések szempontjából a Samsung 90 rétegű, 1 terabites kapacitású V-NAND lapkán dolgozik, amelyre még pár hónapot várni kell, de komolyan nőhet általa az SSD-k tárkapacitása.
