Hirdetés

2018. november 20., kedd

Útvonal

Hírek » Adattároló rovat

2020-ra 100 TB-os SSD-t ígér a Samsung, de jön a Z-SSD és BGA SSD is

  • (f)
  • (p)
Írta: | | Forrás: PROHARDVER!

A Samsung ismertette a flash memóriákkal kapcsolatos terveit.

Hirdetés

Jelenleg is zajlik a Santa Clara-i Convention Centerben a Flash Memory Summit 2016 rendezvény, amin jelen vannak a memória iparág legnagyobb képviselői, hogy bemutassák újdonságaikat, jövőre vonatkozó terveiket. A dél-koreai Samsung is kivette a részét ebből, ugyanis prezentálták „4. generációs”, 64 rétegű V-NAND memóriájukat, amelynek gyártása az idei esztendő negyedik negyedévében kezdődik. A cég nagyvonalúan a világ első 4. generációs, 64 rétegű megoldásának nevezte saját termékét, de az igazság az, hogy két héttel ezelőtt a WD (a frissen megszerzett SanDisknek hála) már bejelentette a 64 rétegű V-NAND-ot. Ugyanakkor tény, hogy a Samsungé más struktúrájú, az első olyan 64 rétegű lapka, amely 512 Gb-es (64 GB) kapacitást kínál – a WD ezt későbbre ígérte, jelenleg 256 Gb-nél tartanak.

32 TB SAS SSD 2,5" 32 TB SAS SSD 2,5"
32 TB SAS SSD 2,5" [+]

A chip használatával a Samsung 2020-ra 100 TB tárkapacitású SSD-ket vizionál 2,5"-es méretben, de egyelőre „be kell érni 32 TB-tal”. Dolgoznak ugyanis egy 2,5”-es kialakítású, SAS csatolófelületű modellen, melyben az új V-NAND lapkából 16 darabot tokoznak egybe, és ebből használnak fel 32 darabot a 32 TB elérésére. A tervek szerint ez a tároló jövőre jelenhet meg a piacon. Reagáltak a Seagate korábbi, 60 TB-os SSD-t ígérő bejelentésére is, amivel kapcsolatosan kifejtették, hogy nem kívánnak a céggel versenyezni, mivel a Seagate-tel ellentétben nem kívánnak a 3,5”-es tárolókkal foglalkozni.

Samsung BGA SSD 1 TB
Samsung BGA SSD 1 TB [+]

A Samsung inkább egy másik újdonságra, az 1 TB-os BGA SSD-re koncentrál, amely magában foglalja a vezérlőt, az LPDDR4 gyorsítótárat és TLC NAND flash lapkákat. A gyártó ígérete szerint az egyetlen grammot nyomó, ultrakompakt, ezáltal új generációs ultramobil eszközökbe és notebookok szánt chip 1500 MB/s szekvenciális olvasási és 900 MB/s szekvenciális írási teljesítményt ígér. A Samsung Electro-Mechanics részlegével közösen tervezett, „FO-PLP (Fan-out Panel Level Packaging)” tokozású tároló a jövő évben debütálhat 1 TB-os tárkapacitással.

Samsung Z-SSD Samsung Z-SSD
Samsung Z-SSD [+]

Végezetül a Z-SSD névre hallgató, PCIe csatolófelületű tárolóval zárták a bejelentések sorát. Ezzel kapcsolatosan a részletek meglehetősen ködösek, mivel csak annyit árultak el, hogy a kifejezetten valós idejű elemzéssel foglalkozó rendszerekhez fejlesztett tárolónál egyedi vezérlőt és kialakítást használnak, így az NVMe felületet használó Samsung PM963 SSD-hez képest 1,6-szor nagyobb szekvenciális olvasási teljesítményre és negyedakkora késleltetésre lehet számítani.

Hirdetés

Gyártók, szolgáltatók

Hirdetés

Copyright © 2000-2018 PROHARDVER Informatikai Kft.