A Samsung még az előző év nyarán beszélt először a Z-SSD érkezéséről, amely kifejezetten a nagy teljesítményigényű területeket célozza meg. Azóta kiderült, hogy az alapot szolgáltató Z-NAND lényegében egy olyan megoldás, amely ötvözi az SLC, azaz cellánként egy bitet tároló NAND flashmemóriákat egy speciális vezérlővel, illetve egy nagy teljesítményre tervezett nyomtatott áramköri lappal. Az egész koncepció tehát trükkös, az elemei egyenként nem sokat érnek, de együtt komoly tempóra képesek. A konkrét működést persze titkolja a Samsung, elvégre maga a technológia a versenytársak számára viszonylag könnyen lemásolhatónak tűnik.
A Samsung a Z-NAND-ot a 800 GB-os SZ985-ön fogja bevetni, amely egy HHHL formátumú, x4-es PCI Express 3.0-s csatolójú konstrukció. A termék szekvenciális olvasás és írás mellett 3,2 GB/s-os adatátviteli teljesítményt biztosít, míg 4 kB-os blokkokon mért véletlenszerű olvasási és írási sebesség rendre 750 000 és 170 000 IOPS. A rendszer terhelhetősége 30 DWPD, ami igen kellemesnek számít ezen a szinten, de ami igazán meghökkentő az az adatelérés késleltetése, ugyanis ez olvasás mellett 12-20, írás során pedig 16 mikromásodperc. Utóbbi értékek radikálisan jobbak a korábbi NAND alapokra épülő hasonló SSD-knél, gyakorlatilag az Intel Optane SSD-ihez mérhetők.
[+]
A Samsung a SZ985-öt minden bizonnyal az Intel Optane P4800X ellen szánja. A Samsung SSD-je egyedül a 4 kB-os blokkokon mért véletlenszerű írási sebesség tekintetében marad le komolyabb mértékben, más szempontból azonban hasonló képességeket biztosít. Valószínűleg a szoftveres támogatással sem lesz gond, elvégre már bejáratott technológiára épül a hardver, csak némileg másképp használja azt.
Az SZ985 esetében az ár lesz a fő kérdés, ugyanis erre vonatkozóan még nincs adat.A Samsung számára az lenne az ideális, ha az Intel Optane P4800X alá árazná a saját megoldását, ezzel győzve meg az adatközpontok tulajdonosait, hogy megéri a Z-SSD-t választani a nagyon új, még kevésbé kiforrott alternatíva helyett.
