Új hozzászólás Aktív témák

• #57254 Petykemano veterán HSM #57253

  Új Válasz 2022-02-15 18:39:43 #57254

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Petykemano

  veterán

  válasz HSM #57253 üzenetére

  Igen, a Samsung gyártástechnológiára általánosságban jellemző ez a viselkedés.
  Szerintem a Samsung gyártástechnológia hátrányban van a TSMC-hez képest és hogy ezt kompenzálja az ideálisnál sűrűbben szedi a tranzisztorokat. Ennek előnye az, hogy rányomhatja az nanométer besorolás plecsnit, mert sűrűség tekintetében hozza a specifikációnak megfelelő értékeket. Hátránya viszont az, hogy a magasabb frekvencia esetén lényegesen magasabb a hőkoncentráció (kevesebb a hőelvezésre alkalmas hely) és Amíg a tranzisztorok nem melegednek túl, addig minden olyan, mint a TSMC-nél, de magasabb frekvenciák esetén a hőelvezetés rosszabb, túlmelegszik, ami kezelhető szinten csak magasabb fogyasztással jár, de a skálázódás egy bizonyos pontnál megáll.

  Persze jó lenne, ha "csak" a kihozatalhoz hasonlóan ez a probléma is visszavezethető lenne a Samsungnál még nem alkalmazott pelillulák hiányára és annak használata ezt is megoldaná - majd 2023-tól. [link]

  Azért bátorkodtam ezt jelenséget kihegyezni az AMD IP-re. Merthogy tudtommal a Snapdragon 8 Gen 1 is 4LPE-n készülhet (De legalábbis Samsungnál) [link]
  Én úgy értelmeztem, hogy a hírben szereplő három másik készülék SD8G1-gyel szerelt Samsung Galaxy S22.
  Tehát vagy az van, hogy a Qualcomm második generációs Samsung-on készülő lapkájánál már valahogy alkalmazkodtak.
  Vagy esetleg az lehet még, hogy a szóbanforgó SD81G valójábana TSMC 4nm-en készül, mivel a hírek szerint a Qualcomm ott is gyártat [link]

  Találgatunk, aztán majd úgyis kiderül..

Új hozzászólás Aktív témák