A TSMC ugyan jelenleg a 6 és 5 nm-es gyártástechnológiák fejlesztésére fókuszál, de a háttérben már javában készül a 3 nm-es node, amellyel kapcsolatban nemrég azt nyilatkozta a cég, hogy jól halad a fejlesztés.

A TSMC sajnos nem árul el túl sok részletet a 3 nm-es gyártástechnológiájáról, ebből a szempontból a Samsung sokkal bőbeszédűbb, de annyi biztos, hogy GAAFET lesz alkalmazva, miután ugye a FINFET ilyen kis méretig nem skálázódik.

Az 5 nm-hez viszonyított előrelépés még nem tisztázott a 3 nm-es eljárás esetében, de a tajvani bérgyártó szerint kipróbáltak minden lehetséges tranzisztorstruktúrát, és elmondásuk alapján egy nagyon jó megoldással álltak elő a partnerek számára.

A 3 nm-es gyártástechnológia elérhetősége továbbra is 2022-re van tervezve, és a TSMC egy új gyárat is épít hozzá.