Nagyjából egy hónapja írtunk arról, hogy megindult a kísérleti gyártás a TSMC 5 nm-es node-ján, de új hír, hogy a tömeggyártás a következő esztendő első felében kezdődik meg. A DigiTimes információi szerint az 5 nm-es node-on készülő lapkák 45%-kal lehetnek kisebbek az első 7 nm-es eljáráshoz viszonyítva, miközben 15%-kal jobb teljesítmény hozható.
Az is kiderült, hogy a TSMC tervez egy második generációs 5 nm-es node-ot, amely az 5+ jelölést viseli, és valamivel továbbfejlesztett megoldásnak tekinthető, noha a képességeiről még nincsenek adatok. Az viszont már nem titok, hogy ennek a kísérleti gyártása a következő esztendő első negyedévében kezdődik meg, az utolsó negyedévben pedig a tömeggyártás is megkezdődhet.
2021-től a TSMC már teljesen a GAAFET bevezetésére szeretne koncentrálni, amely a 3 nm-es node-dal történik meg. Ez a váltás szükségszerű, mivel a FinFET egyszerűen nem skálázódik 4 nm alá, tehát elkerülhetetlen egy új tranzisztorstruktúra bevezetése.
