Hirdetés

A Toshiba és a SanDisk 256 gigabites lapkával célozza a V-NAND-piacot

Hirdetés

A Toshiba és a SanDisk bejelentette, hogy közösen is megcélozzák a V-NAND-piacot, így a Samsung és a Hynix után új versenyzőkkel bővül ez a terület. A két cég közös fejlesztésű V-NAND megoldása hivatalosan 3D BiCS NAND flash névre hallgat, amiből BiCS a háromdimenziós struktúrára utal. Ez ugyanis némileg különbözik attól a modelltől, amit a Samsung (TCAT) használ. Az eltérő rendszer leginkább a gyártás szempontjából lesz lényeges, de ha a koncepciós alapokat vesszük figyelembe, akkor a cél ugyanúgy a cellaréteg vertikális elhelyezésének hatékonyabbá tétele.

A Toshiba és a SanDisk technológiája a specifikációk alapján igen jó paraméterekkel bír, mivel 48 cellaréteget használ, továbbá a cellák három bitet tárolnak, azaz TLC-s megoldásnak tekinthető a memória. Az érintettek saját fejlesztésű belső összeköttetést használnak, akárcsak a Samsung és a Hynix, továbbá az új lapka már 256 gigabites kapacitást kínál, vagyis kétszer annyi információ fér rá, mint a konkurens megoldásokra. Ez egy alapvető előnye lesz a 15 nm-es gyártástechnológián készülő lapkának, legalábbis a kezdetekben biztosan.

Sajnos a Toshiba és a SanDisk csak formálisan leplezte le a fejlesztést, így jelenleg még mindig a kísérleti gyártás zajlik, de ha minden megfelelően alakul, akkor a tömeggyártás még idén beindulhat.

Megjegyzendő, hogy a Toshiba korábban bemutatott 128 gigabites MLC-s BiCS NAND flash megoldása is tömeggyártásba kerül még az idén, nagyjából a most bemutatott lapkával párhuzamosan.

Hirdetés

Azóta történt

Előzmények

Hirdetés