Hirdetés

A Toshiba elkészítette a V-NAND memóriájának termékmintáját

A Toshiba bejelentette, hogy a potenciális érdeklődők már rendelhetik a V-NAND memóriájuk termékmintáját, amely várhatóan 2016 első felében kerül tömeggyártásba. A vállalat számára ez lényeges áttörés, mivel a Samsung ezen a területen alapvetően elhúzott mindenkitől. Mint ismeretes a dél-koreai óriáscég másfél éve kínál V-NAND-ot, illetve 2014-ben már a második generációs megoldások bevezetése is lezajlott, miközben a konkurensek még csak a fejlesztési fázisban tartanak.

A Toshiba a V-NAND technológiáját a SanDisk segítségével tervezi, és strukturálisan nagyon hasonlít arra a megoldásra, amelyet a Samsung kínál. Ez konkrétan azt jelenti, hogy a Toshiba és a SanDisk is mellőzi a mai NAND megoldásoknál alkalmazott lebegőkapus megközelítést, és a töltéscsapdára állnak át. Ennek számos előnye van, ezen belül az egyik legnagyobb, hogy jelentősen csökkenti az egymás melletti cellák közötti interferenciát, ami kritikus fontosságú ezeknél a memóriáknál.

A Toshiba háromdimenziós struktúrája (BiCS) egyébként némileg különbözik attól a modelltől, amit a Samsung (TCAT) használ. Ez leginkább a gyártás szempontjából lesz lényeges, de ha a koncepciós alapokat vesszük figyelembe, akkor a cél ugyanúgy a cellaréteg vertikális elhelyezésének hatékonyabbá tétele.

A Toshiba saját fejlesztésű belső összeköttetése, a 15 nm-es gyártástechnológián készülő termékmintán 48 cellaréteget enged meg. A rendelhető V-NAND memória kapacitás 128 gigabit, de a megjelenés után gyorsan elérhetők lesznek a nagyobb tárhelyet kínáló modellek is.

Azóta történt

Előzmények

Hirdetés