A Hynix elsőként veszi fel a kesztyűt a Samsunggal a V-NAND területén

A Hynix kisebbfajta meglepetésre bejelentette, hogy elkezdték a V-NAND memóriájuk tömeggyártását, amelyet a partnerek az aktuális negyedévben már nagy mennyiségben is elérhetnek. A vállalat számára ez lényeges áttörés, mivel a Samsung ezen a területen alapvetően elhúzott mindenkitől. Mint ismeretes a dél-koreai óriáscég régóta kínál V-NAND-ot, illetve már a második és harmadik generációs megoldások bevezetése is lezajlott, miközben a konkurensek még csak a fejlesztési fázisban tartottak. Mára azonban világossá vált, hogy ezen a területen a szintén dél-koreai Hynix elsőként követi a Samsungot.

A Hynix V-NAND megoldása első nekifutásra igen jó paraméterekkel bír, mivel 36 cellaréteget használ, továbbá a cellák két bitet tárolnak, azaz MLC-s megoldásnak tekinthető a memória. A vállalat saját fejlesztésű belső összeköttetés használ, akárcsak a Samsung, de ez úgy néz ki, hogy jobban skálázható. Ugyanakkor ebből nem valószínű, hogy hosszú távon előnye származna a cégnek, mivel annyira le volt maradva mindenki a Samsunghoz képest, hogy utóbbi érintett már továbbfejleszthette az aktuálisan használt összeköttetést. Mindenesetre a Hynix technológiája versenyképes, ami a piac szempontjából kedvező.

A Hynix tömeggyártásba került V-NAND lapkája 128 gigabites kapacitást kínál, ami megegyező a Samsung által gyártott memóriákkal, de a Hynix kicsit már a jövőre gondol, hiszen ígéretük szerint még az idén kész lesz a 48 cellaréteget használó, cellánként három bitet tároló, vagy más megfogalmazással élve TLC-s V-NAND megoldásuk, amelyet a következő évben érkező SSD-kben akár be is vethetnek a partnerek.

  • Kapcsolódó cégek:
  • Hynix

Azóta történt

Előzmények

Hirdetés