A Fujitsu Semiconductor bejelentette, hogy a Panasonic Semiconductorral együttműködve sikerült bevezetniük a tömeggyártásba a világ eddigi legnagyobb kapacitású ReRAM memóriát. A Resistive Random Access Memory néven emlegetett megoldás a memrisztorra épül, amelyet a negyedik passzív áramköri elemnek tartanak. A memrisztor a memory resistor rövidítésből alakult ki, azaz emlékező ellenállást jelent. Ez a név a technológia legnagyobb előnyére utal, vagyis a többi passzív áramkörrel ellentétben a memrisztor az áram lekapcsolása után is emlékszik annak erősségére, valamint azt is megjegyzi, hogy mennyi ideig, milyen irányból folyt át rajta, hiszen az ellenállás nőhet és csökkenhet függően az áram irányától. Ennek megfelelően a memrisztor áram hatására rögtön képes felvenni az utolsó állapotot, azaz ideális memória lehet belőle.

Az új, MB85AS4MT típusjelzésű ReRAM 4 megabites kapacitást kínál és SPI interfészen keresztül köthető be az adott rendszerbe. A Fujitsu 209mil 8 tűs SOP (small outline package) tokozást használ, amely kompatibilis számos egyéb nem felejtő memóriával, így a ReRAM implementálása egyszerűbb lesz az aktuális dizájnokba.

A Fujitsu ReRAM-jának fogyasztása kifejezetten kellemes. Az üzemfeszültség 1,65-3,6 V között lehet, és a termék olvasás mellett 5 MHz-es órajellel 0,2 mA áramerősséget igényel, míg íráskor 1,3 mA-ből oldja meg a feladatot. A készenléti áramerősség elhanyagolható 10 µA, alvó módban pedig elég 2 µA is. A cellák 1,2 millió írási ciklust viselnek el, vagyis ebből a szempontból rendkívül megbízható fejlesztésről van szó, többek között a tárolt adatot tíz évig biztosan megőrzi, amennyiben a hőmérséklete 85°C alatt marad.

Az új ReRAM memória elsődlegesen ott lehet előny, ahol ilyen kis tokozással már nem érhető el megfelelő kapacitású EEPROM, amelyekből amúgy sincs 4 megabites verzió. Emellett a ReRAM fogyasztása is lényegesen előnyösebb, így a viselhető eszközök piacán is bevetésre kerülhet.