Árharc

Az SSD-k legdrágább komponense kétségkívül a NAND chip. Például egy 19 nanométeres gyártástechnológiával készített, 64 gigabit (azaz 8 GB) kapacitású lapka 94 mm² területű, amiből egy 64 GB-os SSD-be összesen nyolc darab kell. Ebből könnyen kiszámíthatjuk, hogy az említett, ráadásul manapság már meglehetősen kicsinek számító meghajtó NAND chipjeihez 752 mm² szilícium szükséges, mely területen majdnem kétszer elférne az NVIDIA legújabb csúcs Maxwell GPU-ja, a GM204. Természetesen egy NAND lapka jóval egyszerűbb felépítésű, mint egy GPU vagy CPU, ergo az előállítása azonos területtel számolva olcsóbb, hisz a gyártás folyamán kevesebb és egyszerűbb folyamatokon kell átessen az ostya (wafer), de pusztán az alapanyagot tekintve nagyjából összevethetőek a kiinduló költségek.

Azonos kapacitás kisebb területen [+]

Míg a processzoroknál a lapkához szükséges szilícium mennyiségének csökkentése mellett a fogyasztás (szivárgási áram) mérséklése és/vagy az órajel (a tranzisztorok teljesítményének) növelése a fő cél, addig a NAND-ok esetében a meglehetősen nagy szilíciumszükséglet okán a cella-, illetve bitsűrűség növelése a legfontosabb feladat. Aktuálisan mindig az a gyártó van igazán nyeregben, aki a legolcsóbban képes adott kapacitású lapka előállítására, hisz így nagyobb profittal tudja értékesíteni termékét és/vagy konkurenseinél olcsóbban kerülhet piacra SSD-je, ami így a felhasználók számára vonzóbb választás lehet, illetve még szélesebb vásárlóréteget érhet el.

[+]

Emiatt az elmúlt években nagyon komolyan vették a csíkszélesség minél rohamosabb léptékben való csökkentését; míg 3-4 éve a 34 nanométeres lapkák voltak többségben, addig ma már a kritikus 20 nanométer alá ment az összes vállalat.

[+]

Igen ám, de ilyen alacsony csíkszélesség esetében már vészesen megnő az egyes cellák töltése közti áthallás (interferencia), ami egyre inkább igénybe veszi a meghajtó vezérlőjének ECC és DSP képességét, ez pedig amellett, hogy megnehezíti a mérnökök dolgát, negatív hatással van az átviteli tempóra. Fizikai törvényszerűség, hogy minél kisebb egy cella, annál kevesebb elektron fér el benne. Az aktuálisan legkisebb csíkszélességen készülő cellákban nagyjából 20 elektron kaphat helyet, ami a többszintes (MLC, TLC) cellák esetén eloszlik az egyes bitek között. Amennyiben az egyetlen bithez tartozó összes elektron kiszabadul a cellából, úgy az adott cella használhatatlanná válik.

Az egységnyi területre jutó kapacitás növelésére vonatkozó kutatások évekre, sőt inkább már évtizedekre nyúlnak vissza, többek között az egyetlen cellában tárolt adatmennyiség növelése is erre hivatott. Az MLC (2 bit) és a TLC (3 bit) típusú NAND-ok erre szolgálnak, melyek közül az utóbbiból egyelőre csak a Samsungtól láthattunk kereskedelmi forgalomba került terméket. Az SLC, MLC, TLC témát korábban már kiveséztük. Röviden összefoglalva, az MLC az SLC-hez képest teoretikusan 100%-kal növelte az adatsűrűséget, míg a TLC az MLC-hez képest 50%-kal. Ezen megoldások hátulütője, hogy a több bit tárolására képes cellák kevesebb programozási ciklust képesek elviselni, ugyanakkor a gyártók ezt különféle fejlett vezérlési metódusokka jól kezelik, ezzel pedig a valós elhasználódás mértékét kordában tudják tartani.

[+]

A Samsung csíkszélesség terén jelenleg valahol 19-16 nm környékén jár, illetve ahogy említettük, már ellőtték a TLC, vagy ahogy ők hívják a 3-bit MLC lehetőségét is, így lassan szükség volt egy olyan új technológia élesben való bevetésére, amivel viszonylag könnyen és gyorsan tudják még tovább növelni a cellasűrűséget.

A 3D CTF NAND születése

Talán nem túlzás azzal a faramuci hasonlattal élni, miszerint NAND-gyártás terén most körülbelül olyan a Samsung, mint processzorokban az Intel, hisz jelenleg mindkét vállalat hasonlóan nagy technológiai előnnyel áll konkurensei előtt. A dél-koreai cég lassan két éve mutatta fel első TLC-alapú SSD-jét, amihez fogható technológiával azóta sem tudott előrukkolni egyik versenytárs sem, tavaly pedig már az első, 3D V-NAND lapkára épülő OEM modellek is megjelentek, ami előrevetítette a legújabb NAND-ok kereskedelmi forgalomban való felbukkanását.

[+]

A 3D elnevezést a gyártók előszeretettel alkalmazzák szinte mindenre, hisz egy egyszerű és még mindig jól csengő karakterpárról van szó. Tranzisztorok terén épp az Intel lőtte el elsőként a 22 nanométeres 3D Tri-Gate (FinFET) bemutatása során, még valamikor 2011 első felében. A Samsung 3D V-NAND esetében egy kicsit másról van szó, ugyanis a 3D és a V-NAND két külön dologra utal. A Samsung elsőként a 3D NAND-ot fejlesztette ki, mely az úgynevezett CTF (Charge Trap Flash) működési elven alapszik. Ennek alapjaihoz egészen az 1960-as évek végéig kellene visszamennünk, ugyanis a koncepció lényege már ekkor leírásra került. A szélesebb körben elterjedt lebegőkapus (floating gate) NAND tranzisztor esetében a töltést egy izolált vezetőréteg tartalmazza, melyben az elektronok szabadon fickándozhatnak, ezzel szemben a CTF-nél egy szigetelőanyagban (szilícium-nitrid) kerül tárolásra a töltés, ami kvázi elektroncsapdaként funkcionál.

[+]

Amennyiben sikerül megfelelően kivitelezni a koncepciót, akkor annak számos pozitív hozadéka lehet. A SiN anyagú szigetelőfilm alapvetően sokkal ellenállóbb az elektronok folyamatos ki-be vándorlásával szemben. Általánosságban elmondható, hogy minél alacsonyabb feszültségen kerül programozásra egy NAND cella, annál hosszabb lesz az élettartama, ugyanis az alacsonyabb feszültség kevésbé viseli meg a szigetelőt. A CTF NAND tranzisztor felépítéséből eredően megelégszik vékonyabb szigetelőrétegekkel, mely a kisebb méretből adódó alacsonyabb ellenállás mellett egyben azt is jelenti, hogy a cella programozásához alacsonyabb feszültség is elég, ami még tovább javít az élettartamon. A dél-koreaiak valamikor 2003 környékén alkották meg az első CTF NAND-ot, mely még a szokványos planáris felépítést alkalmazta.

[+]

A Samsung mérnökei tovább folytatták a kutatást és a fejlesztést, melyben a következő lépcső a struktúrát érintette. Három dimenzióban kellett megvalósítani a CTF NAND-ot, amire végül nagyjából 2008 környékén került sor.

[+]

A fenti ábrán nagyon leegyszerűsítve látszik a folyamat, mely gyakorlatilag már a V-NAND felépítésének megalapozására szolgál.

A 2. generációs Samsung 3D V-NAND

[+]

A planáris tranzisztorok elhelyezésének problémája könnyen szemléltethető nagyvárosok analógiájával. Az egyes épületblokkok között szükséges bizonyos helyet hagyni az utcák számára (akárcsak a tranzisztorok között az interferencia miatt), így egy idő után az épületek elérik a városhatárt. Ezért a metropoliszok építészei megindulnak az égbolt irányába, hisz vertikálisan még igen sok hely áll rendelkezésre, akárcsak a NAND lapkák esetében.

[+]

Az iménti példát követve a Samsung sem csinált mást. Mivel a horizontális terjeszkedés (nagyobb lapka) lassacskán már elkerülhetetlen lett volna, ám ez az út igen költséges, így a tervezők inkább több rétegben egymásra helyezték a korábban megalkotott és erre felkészített 3D tranzisztorokat. Ez elsőre még egyszerűen hangozhat, ugyanakkor fontos leszögezni, hogy nem lapkákat helyeztek egymásra, és szó sincs magasabb ostyákról, ergo a szilícium mérete semmilyen dimenzióban nem változott, az egyes rétegek egymásra helyezését a teljesen szabványos paraméterekkel rendelkező ostyán belül vitték véghez különféle levilágítási eljárásokkal.

[+]

Mivel az építkezés megindulhatott vertikális irányba, így a horizontális sűrűségből vissza lehetett venni, ezzel is elejét véve az új koncepció esetleges túlkomplikálásának. A Samsung mérnökei tehát a csíkszélességet tekintve jó néhány évet ugrottak vissza az időben, ugyanis a 3D V-NAND a ma már igen gazdaságtalannak tekinthető 42 nanométeres gyártástechnológián készül. Bár a csíkszélesség a régi, maga a gyártástechnológia természetesen nem egyezik az előző évtizedben alkalmazott megoldással, hisz többek között bevetésre került a processzorok gyártása során már évek óta alkalmazott High-K Metal Gate (HKMG), azaz a magas k együtthatójú dielektrikumos fémkapu technológia. Erre elsősorban a szigetelés hatékonyságának növelése miatt volt szükség, mivel a nagy k együtthatójú dielektrikumok ilyen téren jobbak a korábban alkalmazott szilícium-dioxidnál, ami nem csak a NAND cellák élettartamára van jótékony hatással, hanem ezzel az egyes cellarétegek szorosabban helyezhetőek egymásra, a V-NAND (tovább)fejlesztésének esetében pedig éppen ez a kulcs.

[+]

Ahhoz, hogy 42 nanométeren gazdaságos legyen a 3D V-NAND, jó néhány réteget kell megfelelően egymásra pakolni. Az első tömegtermelésbe került lapka 24 réteget tartalmazott, míg a 850 PRO SSD-ben helyet kapott megoldás már 32 réteget foglal magában. Ugyanakkor ez még csak a kezdet, ugyanis a Samsung hosszútávon 100 körüli értéket célzott meg, ami a jelenlegi rétegsűrűség legalább háromszorosa lenne.

[+]

Egy szó mint száz, a 3D V-NAND esetében egy darabig nem kell foglalkoznunk a csíkszélesség kérdésével, de azért teljesen ne verjük ki a fejünkből, hisz valamikor a távoli jövőben még biztosan újra előkerül – ugyanis a rétegek egymásra pakolgatása sem mehet a végtelenségig, idővel majd itt is falba ütköznek a tervezők. Vertikális építkezés ide vagy oda, 42 nanométer mellett az MLC (2 bit/cella) rendszerű működés elhagyása már luxus lett volna. Ugyanakkor számításba véve a HKMG-vel megspékelt CTF NAND-ot, esélyes, hogy itt elég nehezen elnyűhető, vagy talán a valaha sorozatgyártásba került legstrapabíróbb MLC cellákkal állunk szemben, így az elmúlt évek elhasználódással kapcsolatos aggályai ezzel egy jó darabig a feledés homályába veszhetnek. Példának okáért a tavaly bemutatott első generációs, 24 réteget magában foglaló, 128 gigabites MLC 3D V-NAND lapka 35 000 programozási ciklust képes elviselni.

[+]

A magasabb csíkszélességnek és a 3D CTF NAND-nak hála jelentősen csökkent az olvasási és írási műveletekhez szükséges hibajavítások száma, ami az átviteli sebesség növekedése mellett a fogyasztásra is jó hatással volt, hisz így a vezérlőnek jóval kevesebbet kell a különféle ellenőrzések számításaival bajlódni.

[+]

A legyártott lapka fizikai felépítésének leegyszerűsített mását a fenti ábrák próbálják szemléltetni. A rétegek egymásra helyezése még alapvetően nem lenne akkora kihívás, ugyanakkor a 24 rétegű, 128 gigabites lapka 2,5 milliárd kis csatornát tartalmaz, melyeken keresztül vertikálisan egymáshoz kapcsolódnak a cellák. Ezeket különféle levilágítási eljárásokkal maratják a szilíciumba, majd a kialakított csatornákon keresztül viszik fel az egyes cellákhoz szükséges elemeket, amiből az imént említett 128 gigabites modellben nagyjából 60 milliárd található.

Érthető okokból a gyártási folyamat költségeit egyik vállalat sem részletezi túlzottan, de amennyiben hinni lehet a nem hivatalos információknak, akkor az imént ecsetelt eljárás a már rendelkezésre álló eszközparkot tekintve nem kívánt meg jelentős befektetéseket, ami fontos szempont. Ezzel szemben az összesen nagyjából egy évtizedet felemésztő kutatás és fejlesztés költségeit valószínűleg mihamarabb szeretné viszontlátni a Samsung, így ameddig ez nem térül meg, minden bizonnyal a lehető legmagasabb profittal fogják értékesíteni a 3D V-NAND lapkákat.

(2D) NAND – 3D V-NAND [+]

Végezetül mindenképpen szót kell ejtenünk a részletezett, rengeteg fejlesztés árán elért magasabb adatsűrűségről, melynek növelése a mindenkori fő cél. A 850 PRO SSD-ben található 42 nanométeres 3D V-NAND már egy második generációs megoldás. Egyetlen lapka 86 gigabites (10,75 GB) kapacitású, ami 96 mm² szilíciumot foglal el. Összevetés gyanánt a Toshiba 19 nanométeres hagyományos NAND-ja 94 mm²-en kínál 64 gigabitet (8 GB), míg a Micron 16 nanométeres NAND-ja 173 mm²-en nyújt 128 gigabitet (16 GB), ami még mindig alacsonyabb sűrűséget jelent a 42 nm-es 3D V-NAND-nál. Egyszóval pusztán az adatsűrűséget tekintve úgy tűnik, bevált a Samsung fejlesztése.

A dél-koreai vállalat hosszútávú, 2017-re taksált célja a lapkánkénti 1 terabites (125 GB) kapacitás, amiből egy 120 GB-os SSD-be elég lenne csupán egyetlen darab NAND lapka (és chip). A koncepció létjogosultsága tehát nem kérdés, amit csak tovább erősít, hogy a konkurens gyártók fejlesztései szintén a vertikális növekedési irányt célozzák meg. A Micron, a Hynix és a Toshiba is a fejlesztések végén jár, utóbbi valamikor a következő esztendő második felében állhat elő első saját megoldásával, mely várhatóan 16 réteget fog tartalmazni.

A Samsung SSD 850 PRO

Az új NAND technológia részletes bemutatása után térjünk rá az ezt elsőként alkalmazó, kereskedelmi forgalomba került SSD-re!

[+]

A főszereplő Samsung SSD 850 PRO a nagyjából két esztendős 840 PRO közvetlen utódjának tekinthető. A PRO értelemszerűen a professzionális felhasználásra utal, ergo ebben az esetben is egy elsősorban otthoni munkaállomásokba szánt szériáról van szó, ami jellemzően az átlagosnál nagyobb igénybevételre szánt munkakörnyezetet jelent.

[+]

A 850 PRO még a 830-as sorozattal bevezetett külső jegyeket viszi tovább. A ház szépen megmunkált alumíniumból készült, melynek magassága 7 milliméter, míg a meghajtó egészének tömege csupán 60 gramm körül alakul. A 850 PRO sorozat 128, 256, 512 és 1024 (1 TB) gigabájtos modellekből áll, melyek közül nálunk elsőként egy 256 GB-os egyed vendégeskedett.

[+]

Az SSD meglehetősen kis NYÁK-kal rendelkezik, ennek oka a meglehetősen kevés NAND lapka, pontosabban inkább chip.

[+]

A 256 GB-os modell összesen négy chipet alkalmaz, így könnyű kiszámolni, hogy ezek 64 GB kapacitásúak, melyek mindegyikébe hat darab, 32 rétegű MLC 3D V-NAND lapka került. Ahogy korábban, úgy most sem árulnak el túl sok információt a cellák írási terhelhetőségéről, így csak az egyszerű, különféle weboldalakon fellelhető szintetikus tesztekből lehet bármiféle kiindulási alapot nyerni. Ezek alapján a 850 PRO-ban található NAND lapkák legalább 6000 programozási ciklusra vannak belőve, ami nagyjából 1512 TB-os írási terhelhetőséget jelent a 256 GB-os meghajtó esetében, így napi ~100 GB írási mennyiséggel durván 14 évig húzhatná a szóban forgó SSD. Természetesen ezek csak elméleti értékek, és a különféle, az SSD-k tartósságát vizsgáló tesztek alapján a legtöbb meghajtó bőven meg tudja haladni az így kalkulált teoretikus írási mennyiséget.

A Samsung S4LN045X01-8030 vezérlő

Vezérlő és DRAM cache terén ugyanaz a felállás, mint a 840 EVO esetében. A S4LN045X01-8030 típusú kontroller három magot tartalmaz, üzemi órajele pedig 400 MHz. A 256 bites AES titkosítás támogatása most is biztosított. A kontroller mellett szokás szerint egy DRAM chip (cache) lapul, mely konkrétan egy energiatakarékos LPDDR2-1066 szabványú Samsung egység, melynek kapacitása a 256 GB-os modell esetében 512 MB.

[+]

Tesztkörnyezet, specifikációk

Az SSD-tesztekhez használt állandó konfigurációnkat legutóbb 2012 decemberében frissítettük. Az alaplap szerepét akkor az MSI Z77 MPOWER modell vette át, míg a processzor feladatát egy fixen 4,3 GHz-re tuningolt Core i7-3770K kapta meg, hogy minél többet ki tudjunk passzírozni az SSD-kből. A rendszermemória mérete továbbra is 16 GB, de a G.Skill RipjawsX modulok órajele 1333-ról 1866 Mhz-re emelkedett. A különféle turbó és energiagazdálkodási opciókat egytől egyig kikapcsoltuk, hogy azok biztosan ne befolyásolhassák a méréseket. Ezen lépésünkkel a 2012. november 24-e előtti SSD tesztjeink eredményei nem összevethetőek az azt követő cikkeinkben találhatókkal.

[+]

IOMeter, AS SSD

A szekvenciális olvasás – és írás – kap szerepet a nagyobb fájlok másolásánál, illetve az ilyen méretű állományokkal dolgozó alkalmazásoknál; ha elsősorban rendszerlemezt keresünk, akkor ez egy sokadrangú szempont lehet számunkra. Itt az első helyen végzett a 850 PRO, bár előnye nem túl nagy, ami valószínűleg a SATA csatoló limitációjának tudható be.

Írásban is hasonló volt a helyzet, a főszereplő az első helyig jutott.

A véletlenszerű műveletekre vonatkozó értékek az SSD-gyártók egyik vesszőparipája, imádnak az IOPS értékekkel dobálózni, bár ez egy átlagfelhasználó asztali vagy mobil számítógépe esetében különösebben nem számít. Ezzel szemben bizonyos kiszolgálóknál már döntő szempont lehet ez az érték. A 850 PRO itt a hasonló vezérlő okán a nagyobbik 840 EVO eredményét hozta.

A fentiekből következik, hogy a véletlenszerű írás egy átlagos PC-s felhasználó számára szintén nem túlságosan lényeges szempont. Ebben az esetben kiugróan jól muzsikált a 850 PRO, ami már kizárásos alapon a 3D V-NAND számlájára írható.

A kevés általunk használt benchmark egyike az AS SSD. Ennek is csak beépített másolási tesztjét alkalmaztuk, mert ezt akár otthon az olvasó is le tudja mérni magának. Amit erről érdemes tudni: ez a meghajtón belül másol; az ISO-teszt nagy ISO-fájlokkal operál, a Program-teszt sok kis fájllal, a Game-teszt pedig vegyesen. Itt a három azonos vezérlővel szerelt Samsung SSD szinte egy csoportot alkotva foglalta el a dobogót.

Windows 7 használat

A valós használatot reprezentáló teszteléshez egy valódi, többhónapos használatot megélt Windows 7-es rendszert vetettünk be. Ez nem egy sebtiben feltelepített Win 7, hanem egy már alaposan teleszemetelt, sok feltelepített és uninstallált programot tartalmazó rendszer háttérben futó ESET Smart Securityvel (vírusírtó és tűzfal). Ezt mentettük le a "szektorról szektorra" módszerrel, majd töltöttük vissza a teszt szereplőire; így egyenlő eséllyel indult az összes versenyző. A rendszer teljes mérete nagyjából 30 GB, ami egy 37 GB-os partíción foglalt helyet. A partíciót mentés előtt töredezettségmentesítettük, a SuperFetch és a Prefetch pedig be volt kapcsolva. A pontosabb eredmények érdeklében minden tesztet háromszor ismételtünk meg.

A Windows 7 betöltési idejét a post után eltűnő "Boot from CD-ROM" felirattól mértük odáig, hogy teljesen felállt a rendszer, tehát betöltődött az összes ikon, az összes gadget és a tálcára az összes program (ESET, ATI Catalyst Control Center stb.). Ez a "teszt" (mondhatnánk inkább használatot is) leginkább a véletlenszerű olvasásra koncentrál. Az azonos vezérlővel rendelkező modellek itt is kisajátíották az első három helyet.

A "3D-s programcsokor" főként a kis fájlok elérésére koncentrál, ugyanis ezek a programok rengeteg kis plugint töltenek be, ergo a szekvenciális sebesség itt nem annyira fontos.

Az "újságírói programcsokorban" megint a pici fájlok kapnak szerepet; talán ez a legjellemzőbb a mindennapi használatra, mert itt nem csak a fájlok, de maguk a programok is viszonylag kisméretűek. Ennek ellenére ezen tesztünkben nem igazán tudtunk különbséget kimérni az egyes SSD-k között.

A "webdesigner programcsokor" már jobban támaszkodik a szekvenciális elérésre, mert a Photoshop és az Illustrator is egy-egy, igencsak nagyméretű dokumentummal együtt nyílik meg. Ebben a tesztben is a leggyorsabbak közé került a főszereplő.

Az "újságírói programcsokor" megnyitása után hibernáltuk a gépet; ezek a programok együtt kb. 2 GB memóriát foglalnak. Már korábbi cikkeinkben is megjegyeztük, hogy a hibernálás elvileg a szekvenciális írási sebességtől függ (hiszen a memória tartalmát ki kell írni a hiberfil.sys-be). Igen ám, de a memória tartalma tömörítve kerül a lemezre, és ehhez a Microsoft operációs rendszerei a Windows 7-ig bezárólag csak egyetlen processzormagot képesek használni, ami sajnos korlátozhatja a művelet sebességét. Ebben a tesztben annyira nem remekelt egyik Samsung sem, bár lemaradásuk nem volt számottevő.

Másolásos tesztek, játékok

A két következő "teszt" (másolás) eredetileg még a SandForce vezérlőinek olykor becsapós teljesítménye miatt született meg. Lemértük, hogy egy már tömörített Windows 7-et tartalmazó képfájl mennyi idő alatt másolódik át a tesztelendő háttértárra. A képfájlokat egy 128 GB-os Plextor M5 Pro-n helyeztük el, amivel az egyes meghajtók írási teljesítményét nem korlátoztuk.

Ahogy várható is volt, a másolásos tesztekben nagyon jól szerepelt a Samsung 850 PRO.

Tettünk egy próbát a Photoshop telepítőjének RAMDiskre másolásával – ez lényegében az SSD olvasási sebességét méri, hiszen az SSD-ről másolunk a RAMDiskre.

Ezután a RAMDiskről feltelepítettük a Photoshopot, amivel az SSD-k írását teszteltük, de ez felhasználóközelibb mérés, mert egy telepítés idejét mértük le.

A játékbetöltési időkhöz a már jól bejáratott STALKER-t és az SSD-tesztünkben nem túl réginek számító Crysis Warheadet használtuk.

Virtualizáció és végszó

Egy korábbi ötletből született következő tesztünk, ami a virtualizációval kapcsolatos. Aki már foglalkozott otthon a témával, az tapasztalhatta, hogy a háttértár sebessége nagyon sokat számít, ha egynél több VM (virtuális gép) van üzemben. Igazából már egyetlen VM is le tudja "ölni" a rendszert, ha telepítünk rá, nem kell ehhez kettő sem, pláne, ha a VM egy merevlemez "hátsó" 10-20%-án helyezkedik el, ahol a HDD feleolyan gyors, mint a külsején.

Készítettünk négy Windows XP-s VM-et, és beütemeztük rajtuk, hogy egyidőben indítsák el a .NET Framework 3.5 telepítését. A telepítés témája teljesen véletlenszerű volt, annál fontosabb infó viszont, hogy ez a teszt alapjában véve inkább a meghajtók véletlenszerű és kis részben szekvenciális írási sebességét teszteli. A futási időt a time paranccsal mértük le, így az eredmény minden esetben meglehetősen pontos.

A 850 PRO itt is jól muzsikált, és csak a négyszer nagyobb kapacitású 840 EVO tudott elékerülni. Telepítés után beállítottuk, hogy 0 mp-es időközökkel induljanak el a VM-ek, és lemértük a négy VM együttes bootidejét.

Végszó

A Samsung 850 PRO egyedül a NAND chipek terén újult meg igazán, de ott nagyon. A 3D V-NAND egy ígéretes technológia, ami az élettartam mellett az elérhető tempót is növeli, miközben hosszútávon gazdaságosabban gyártható, így folytatódhat az SSD-k árainak lassú, de biztos mérséklődése. Az új technológia kiskereskedelemben egyelőre csak a 850 PRO-ban található meg, de már nem titok, hogy belátható időn belül érkezik a 850 EVO is, ami már TLC, azaz 3 bites 3D V-NAND cellákat fog alkalmazni.

No de ne szaladjunk ennyire előre, hisz addig is itt van nekünk 850 PRO! Tempó tekintetében, bár igen tisztességesen szerepelt a tesztalany, de alapvetően nem hozott csodát, ugyanakkor ez sokkal inkább a SATA csatoló egyre szűkösebb maximális átviteli sebességéről árulkodik, amin már csak a SATA Express és az M.2 felület képes változtatni.

Megbízhatóság terén sokkal érdekesebb az SSD, ugyanis ahogy részletesen ecseteltük, a Samsung 3D V-NAND jó néhány olyan változtatást alkalmaz, ami a cellák élettartamára igen pozitív hatással van. A gyártó ennek megfelelően nem kevesebb mint 10 év garanciát vállal a 850 PRO SSD modellekre, mely idő alatt 150 TB írási mennyiséget garantálnak, ami egy évtizedre vetítve napi 42 GB írást jelentene. Ugyanakkor, ahogy már említettük, ez még távolról sem jelenti azt, hogy a garancialimitet meghaladva azonnal beadja a kulcsot az SSD, csupán a gyártók szeretik bebiztosítani magukat az extrém mértékű használattal szemben, ugyanis erre más (drágább) modelljeik vannak.

Összefoglalva tehát a 850 PRO sebességben hozza azt, amit a jó öreg SATA felületből még ki lehet préselni, ezen felül a 3D V-NAND-nak köszönhetően igen strapabíró is, 10 év garanciával. Mindezért a tesztelt 256 GB-os modell esetében nagyjából 47 000 forintot kell fizetnünk, ami a legolcsóbb, hasonló kapacitású, de kevésbé strapabíró, illetve jóval kevesebb garanciával rendelkező modellekhez képest nagyjából 50%-os felárat jelent. Bár ez elsőre soknak hangozhat, ugyanakkor per pillanat ebben az árszegmensben nem kapunk tartósabb, hasonló garanciális feltételekkel rendelkező SSD-t, így az ezen szempontokat elsődlegesen előtérbe helyező vásárlóknak bátran ajánljuk a Samsung 850 PRO meghajtókat.

Samsung SSD 850 PRO 256 GB SSD

Oliverda

A tesztelt két Samsung SSD 850 PRO-t a Samsung magyarországi képviselete bocsátotta rendelkezésünkre.