Egy 1 TB-os SSD

A Samsung 840 EVO sorozat megjelenéséről, illetve 120 és 250 GB-os modelljéről nyár végi cikkünkben már beszámoltunk. Azonban az általunk kipróbált két SSD mellett még három másik tagot is magában foglal a Samsung legújabb szériája, melyek kapacitása 500 és 750 GB, illetve 1 TB. Jelen tesztünkben utóbbit, azaz a legnagyobb modellt nézzük meg közelebbről.

[+]

Csomagolás tekintetében semmivel sem tér el kisebb kapacitású rokonaitól a nagyágyú, így ez is egyszerű, helytakarékos csomagolásban érkezett hozzánk. Az SSD-n kívül jóformán csak a fenti képen is látható, kötelező kiegészítőket találtuk a dobozban.

[+]

Külsőre sincs eltérés a korábban látottakhoz képest. A ház anyaga teljes egészében alumínium, magassága 7 milliméter, míg a meghajtó tömege 50 gramm körül alakul.

[+]

Szétszedve már változik a kép, ugyanis az 1 TB-os modell egy nagyobb, bár még mindig nem a ház teljes területét betöltő NYÁK-ot kapott.

A Samsung S4LN045X01-8030 vezérlő

Az SSD-ben az S4LN045X01-8030 típusú vezérlő teljesít szolgálatot, ami 400 MHz-es órajelen ketyeg. A 256 bites AES titkosítás támogatása továbbra is biztosított. A kontroller mellett most is egy DRAM chip (cache) lapul, mely egészen pontosan egy energiatakarékos LPDDR2-1066 szabványú Samsung modell. Míg a 120 és 250 GB-os modellekben 256 és 512 MB-os chipek voltak, addig a legnagyobb modellbe már 1 GB kapacitású gyorsítótár került.

A 840 EVO-ban TLC típusú, 19 nm-es Toggle DDR 2.0 NAND lapkák kaptak helyet. Az alacsony csíkszélesség, illetve a TLC típusú működésnek köszönhető, hogy az 1 TB-os kapacitást mindössze 8 chipből össze lehetett rakni. Természetesen egy chipben több (akár 8) NAND lapka is helyet kaphat.

[+]

A kisebb kapacitású modellekhez viszonyított nagyobb NAND darabszám ellenére itt sem maradt ki a TurboWrite technológia. Ennél a NAND lapka egy bizonyos százalékát SLC módban konfigurálják, ami a jóval magasabb tempó mellett még az élettartamra is jótékony hatással van. A meghajtó teljes kapacitását tekintve a nálunk járt modellek esetében összesen 3 GB az ilyen jellegű terület (a nagyobb meghajtóknál több), ami egyfajta pufferként funkcionál, vagyis a vezérlő először erre a területre próbálja betuszkolni a kiírandó adatokat, melyek később a lassabban írható részekre ürülnek. Mindezzel együtt a Samsung 2500 programozási/törlési ciklust publikált a lapkákra, ami közel azonos a 25 nm-es MLC megoldások esetében látottakkal, ami napjainkban már meglehetősen jó értéknek számít.

A cikk még nem ért véget, kérlek, lapozz!