A Samsung bejelentette, hogy tömeggyártásba került a második generációs 10 nm-es osztályú node-ot használó, egészen pontosan 1y-nm-es 8 gigabites kapacitású, DDR4 szabványú memórialapkája. Az újdonság az első generációs verzióhoz képest 30%-kal jobb gyárthatóságot tesz lehetővé, amivel nő a ténylegesen bevethető memórialapkák száma, továbbá 10%-kal jobb teljesítményre is képes lehet, illetve 15%-kal javult az energiahatékonysága.

A fenti változásoknak hála a Samsung mostantól képes lesz nagy mennyiségben is biztosítani az összeköttetésenkénti 3600 Mbps-ot, ami lényegében megfelel a 3600 MHz-es effektív órajelnek. A szintén 8 gigabites előd ebből a szempontból "csak" 3200 MHz-ig tudott nagy biztonsággal eljutni. Ez jelen esetben pont a JEDEC által elismert szabványos teljesítményszintek aktuálisan legmagasabb lépcsőfoka, amit a következő évben az egyes új asztali processzorok memóriavezérlői támogatni is fognak. Emiatt a további tartalékra nagyon is szükség van, elvégre a DDR4-es memóriaszabvány nem áll meg 3200 MHz-nél, ráadásul a szabvány szerint az említett effektív órajelet 1,2 V mellett kell biztosítani, amihez mindenképpen szükség lesz a Samsung új memórialapkáira.

A dél-koreai óriáscég az első és a második generációs 10 nm-es osztályú node-okon gyártott 8 gigabites DDR4-es memóriákat a következő év folyamán egymás mellett fogja kínálni. Rövidebb távon az újabb opcióból kevesebbet gyártanak, elvégre erre a lapkára leginkább a szabványos, de kifejezetten magas órajelen üzemelő DDR4-es memóriamodulokon lesz szükség, míg az átlagos modulokhoz továbbra is elég a régebbi fejlesztésű verzió.