Új szintre helyezi a lécet a Samsung HBM2E memóriája

A vállalat extrém teljesítményt és kapacitást kínál a következő generációs gyorsítók számára.

A Samsung bejelentette, a HBM2 szabványú memóriájának új verzióját, amely külön, HBM2E nevet kapott. Az új generációs, Flashbolt kódnevű megoldások minden téren előrelépést kínálnak, így sebességben, illetve tárkapacitásban is lehet rájuk számítani.

Hirdetés

A Samsung adatai szerint a korábbi generáció, 2,4 GHz-es effektív órajele helyett már elérhető a 3,2 GHz-es érték is, továbbá maga a memórialapka is 8-ról 16 gigabites kapacitásúra hízott. Az így kiépíthető csomag az iparág első olyan megoldása, ami képes 410 GB/s-os adatátviteli teljesítményre, miközben a fogyasztása nem igazán nő a korábbi megoldásokhoz viszonyítva.

Az újdonság egyébként 8Hi kategóriás konfigurációban érkezik, vagyis nyolc darab 16 gigabites lapka lesz egymásra helyezve, ezzel egy szett 16 GB-os kapacitást kínál 1024 bites csatornánként.

Maga a HBM2E egyébként nem JEDEC szabvány, de ezek úgyis beágyazott memóriái lesznek az egyes termékeknek, vagyis ilyenkor elég az adott hardver memóriavezérlőjét felkészíteni a 3,2 GHz-es órajelre, és ezzel már hozható is a magasabb memória-sávszélesség. Némi számolás után észrevehető, hogy 4096 biten konkrétan 1,64 TB/s-os tempó érhető el, ami rendkívül hasznos lesz például a DirectX Raytracing terjedése mellett, hiszen a sugárkövetés leginkább a memória-sávszélességre érzékeny. Az előbbi buszszélesség mellett elérhető 64 GB-nyi kapacitás is hasznos lehet a professzionális piacon, a többi területre pedig készíthető 4Hi kategóriás konfiguráció is, ez csupán döntés kérdése.

Hirdetés

Azóta történt

Előzmények

Hirdetés