A Samsung bejelentette, hogy tömeggyártásba került az első olyan 8 gigabites kapacitású, DDR4 szabványú memórialapka, amely a vállalat új 10 nm-es osztályú gyártástechnológiájával készül. Ehhez ráadásul a Samsung nem vetett be az EUV litográfiát, így a cég továbbra is az aktuálisan használt ArF immerziós litográfiára épít. Ez költséghatékonyabb gyártást tesz lehetővé azzal, hogy a jelenlegi berendezéseket nem kell lecserélni.
[+]
A teljesen szabványos memórialapka a Samsung bevallása szerint 1,2 V-os üzemfeszültség mellett 3200 MHz-es effektív órajelre is képes, ami 30%-kal jobb teljesítmény a 20 nm-es osztályon készülő elődöknél, mivel utóbbiak 2400 MHz-en tetőztek. Mindeközben a fogyasztás a korábbi modellekhez képest 10-20%-kal alacsonyabb, ami szintén kedvező tényező.
A Samsung az új memórialapkára 128 GB-os TSV technológiára épülő memóriamodult fog elsőként építeni, amivel a szerverek piacát célozzák meg. Nem sokkal később érkezik 4 GB-os SO-DIMM modul is a notebookokba, illetve idővel a 10 nm-es osztályú lapkák átveszik a 20 nm-es opciók helyét a teljes termékskálában.
