A 2 nm-es, illetve hasonló kategóriájú node-okon elkerülhetetlen a GAAFET tranzisztorstruktúra valamilyen implementációban történő alkalmazása, amely az EUV litográfia mellett olyan mértékben megdrágítja a fejlesztést és a gyártást, hogy nem túl sok cég gondolkodik abban, hogy a csúcstechnológiás chipgyártás területén versenyezzen. Jelenleg a TSMC, a Samsung és az Intel dolgozik hasonló gyártási eljárásokon, és ebből a trióból is magasan a TSMC áll a legjobban, hiszen a saját gyártástechnológiájuk esetében már most rendelkeznek öt megrendelővel: Apple, AMD, Intel, Broadcom és AWS.
Hirdetés
A Samsung és az Intel portájáról jóval rosszabb hírek érkeznek. A dél-koreai cégnél ugyan kezd felfutni a kihozatal, de a legutolsó adat alapján még mindig 40% körül van, míg a Santa Clara-i vállalat esetében az Intel 18A node egyelőre csak házon belül lesz használva, és a kihozatalt 10%-ra becsülik a híresztelések.
A triót tekintve tehát a Samsung áll a legközelebb ahhoz, hogy a TSMC ellenfele legyen, de jön egy negyedik szereplő, méghozzá a japán Rapidus, amely vállalat elkészítette az első, 2 nm-es, EUV litográfiát használó GAAFET tesztchipjét, és 2027-re teszik a tömeggyártás bevezetését. Ráadásul a jelenlegi tervek szerint az IIM-1 nevű gyár havi 25 ezer wafert tud majd megmunkálni, ami kezdetnek igen kellemes mennyiség.
Bár a TSMC, a Samsung és az Intel is idénre ígéri a saját, 2 nm-hez hasonló node-ján a tömeggyártást, valójában erre reális esélye csak a TSMC-nek van. A Samsung maximum a saját fejlesztésű lapkáját tudja majd bevetni, az Intel pedig a saját eljárására mostanság már nem is keres külső megrendelőket. A Rapidus 2027-es terve tehát abban az esetben abszolút nem számít megkésettnek, ha a tömeggyártást 60-70%-os kihozatallal kezdik meg. A TSMC ellen ez nyilván kevés lesz, de a Samsungnak és az Intelnek komoly fejfájást okozhat.
