Hirdetés
A CM ASIAE friss riportja szerint a Samsung az idei évben veti be a 2 nm-es GAAFET node-ját, amelyen majd az új, csúcstelefonokba szánt rendszerchipjük készül. Az említett média forrásai szerint a gyártástechnológia kihozatali aránya a 3 nm-es opcióhoz viszonyítva már jobban alakul. Az év elején 20-30%-kal lehetett számolni, míg mostanság a kihozatal átlépi a 40%-ot is.
Az előrelépés tehát látható, és az év második felében reális lehet a tömeggyártás beindítása. Megfelelő kihozatal elérése esetén a Samsung bérgyártó részlege további megrendelőkre is számíthat, figyelembe véve azt, hogy a TSMC mennyire drágán méri a saját 2 nm-es gyártási eljárását.
