- Karácsonyfaként világíthat a Thermaltake új CPU-hűtője
- Az USA vizsgálja a RISC-V kínai terjedésének kockázatát
- Kicsit extrémre sikerült a Hyte belépője a készre szerelt vízhűtések világába
- Egészen nagy teljesítményspektrumon fedné le a mobil piacot az AMD
- Kihívás a középkategóriában: teszten a Radeon RX 7600 XT
Hirdetés
-
Súlyos adatvédelmi botrányba kerülhet a ChatGPT az EU-ban
it Egyre nagyobb probléma az AI hallucinálása – most az osztrák adatvédelmi hatóság veheti elő a ChatGPT miatt az OpenAI-t, alapvetően a GDPR megsértése miatt.
-
Spyra: akkus, nagynyomású, automata vízipuska
lo Type-C port, egy töltéssel 2200 lövés, több, mint 2 kg-os súly, automata víz felszívás... Start the epic! :)
-
Már tudjuk, hogy mikor jön az idei Xbox Games Showcase
gp A showt egy külön Direct előadás követi, ami szinte biztosan az idei Call of Duty lelepelzése lesz.
Új hozzászólás Aktív témák
-
Badman 4ever
őstag
Szerintem is ezért jobb az MRAM...
Emellett a lapkák/chipek élettartama (azaz hogy mennyi írási ciklust viselnek el) csökkent. Az 50 nm-es MLC NAND lapkák még durván 10 000 írási ciklust viseltek el. Ez a szám 34 nm-en a felére, nagyjából 5000 környékére esett, míg 25 nm-en az érték már csak 3000 körüli. - OCZ Vertex 3 SSD - SandForce újratöltveEhhez képest az MRAM végtelen újraírhatósága megváltás, nem kell nagyméretű tartalék tárhelyeket fenntartani, bonyolultabbnál bonyolultabb hibajavító áramköröket tervezni és szoftveres hibajavító algoritmusokat alkalmazni (RAISE, ECC, Wear Leveling - Az ilyen szélsőséges eseteknek két komoly hátulütője van, egyrészt az "overhead", az adatok háttérben való folyamatos mozgatása lassít(hat)ja magának az SSD-nek a működését, másrészt a cellák védelméért munkálkodó wear leveling egyúttal tulajdonképpen csökkenti a cellák élettartamát, de erről nem tehet, egyszerűen így működik az algoritmus. - Átfogó elemzés az SSD-k természetéről). Ha ezeket elhagyjuk, sokat lehet az előállításon spórolni, így a termék ára is jobb lehet és a megbízhatóság, illetve élettartam brutálisan megnő.
[ Szerkesztve ]
Android: elavult, mókolt Linux kernelre rágányolt virtuális gép. Macrohard SpyDOS 11 - Something went wrong. :( Vigyázat, a pingvin harap! Házi szerver Tualatin Pentium III-S 1.4 GHz alapon, Ryzen nagyvas, Bulldozeres AMD laptop és Pine64 PinePhone - Arch Linux mindegyiken. Ender 3 Pro rules!
-
shabbarulez
őstag
Pont ennek javítására szolgál az általam előbb említett két technológia. Azonos nm mellett egy charge trap megoldás tartósabb újraírhatóságot biztosít mint a floating gate megoldás. Egy 10-20nm-es 2D planar NAND helyett 3D NAND esetén 50-60nm-en el lehet érni azonos vagy jobb bitsűrűséget, értelemszerűen a nagyobb gyártástechnológia mellett az újraírhatóság is visszaáll. Sőt ma már rendelkezésre állnak olyan adatkiolvasás javító technológiák, amiket anno a 2D planar 60nm mellett nem is használtak. 3D NAND és charge trap házasításával pedig ezen előnyök összeadhatók.
Az általad írt probléma csak akkor áll fenn, ha továbbra is maradnának a gyártók a floating gate mellett és tovább csökkentenék a nm-eket. Ez viszont nem céljuk a gyártóknak, pont ezért fejlesztettek az elmúlt évtizedben olyan technológiákat, amelyekkel a NAND fejlődése más megoldásokkal továbbiakban is fenntartható.