Új hozzászólás Aktív témák

• #8 shabbarulez őstag Alchemist #5

  Új Válasz 2011-08-04 17:04:01 #8

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  shabbarulez

  őstag

  válasz Alchemist #5 üzenetére

  Pont ennek javítására szolgál az általam előbb említett két technológia. Azonos nm mellett egy charge trap megoldás tartósabb újraírhatóságot biztosít mint a floating gate megoldás. Egy 10-20nm-es 2D planar NAND helyett 3D NAND esetén 50-60nm-en el lehet érni azonos vagy jobb bitsűrűséget, értelemszerűen a nagyobb gyártástechnológia mellett az újraírhatóság is visszaáll. Sőt ma már rendelkezésre állnak olyan adatkiolvasás javító technológiák, amiket anno a 2D planar 60nm mellett nem is használtak. 3D NAND és charge trap házasításával pedig ezen előnyök összeadhatók.

  Az általad írt probléma csak akkor áll fenn, ha továbbra is maradnának a gyártók a floating gate mellett és tovább csökkentenék a nm-eket. Ez viszont nem céljuk a gyártóknak, pont ezért fejlesztettek az elmúlt évtizedben olyan technológiákat, amelyekkel a NAND fejlődése más megoldásokkal továbbiakban is fenntartható.

Új hozzászólás Aktív témák