Keresés

Hirdetés

Új hozzászólás Aktív témák

  • shabbarulez

    őstag

    "Mindenesetre a súlyos gyártástechnológiai gondokkal küszködő flashmemóriákban már nagyon kevés fejlesztési potenciál van..."

    Ez messze nem igaz. Az elmúlt évtized során igen sok innovatív fejlesztés demóztak már a NAND gyártók és ezek a fejlesztések idővel be is fognak érni. Floating gate helyett charged trapping, 2D planar felépítés helyett 3D NAND. 2-4 év távlatában ezek piacra is kerülhetnek és messze előrehaladottabb állapotban vannak, mint a többi NAND-ot leváltani próbáló technológiák.

    Nem szabad elfelejteni hogy a NAND piac egy évi 20 milliárd dolláros piac. Értelemszerűen az ezt birtokló NAND gyártók nem szeretnék csak úgy feladni ezt az igen nagy piacot és komolyan fejlesztettek annak érdekében az elmúlt évtizedben hogy a pozícióikat meg is tartsák.

  • shabbarulez

    őstag

    válasz Alchemist #5 üzenetére

    Pont ennek javítására szolgál az általam előbb említett két technológia. Azonos nm mellett egy charge trap megoldás tartósabb újraírhatóságot biztosít mint a floating gate megoldás. Egy 10-20nm-es 2D planar NAND helyett 3D NAND esetén 50-60nm-en el lehet érni azonos vagy jobb bitsűrűséget, értelemszerűen a nagyobb gyártástechnológia mellett az újraírhatóság is visszaáll. Sőt ma már rendelkezésre állnak olyan adatkiolvasás javító technológiák, amiket anno a 2D planar 60nm mellett nem is használtak. 3D NAND és charge trap házasításával pedig ezen előnyök összeadhatók.

    Az általad írt probléma csak akkor áll fenn, ha továbbra is maradnának a gyártók a floating gate mellett és tovább csökkentenék a nm-eket. Ez viszont nem céljuk a gyártóknak, pont ezért fejlesztettek az elmúlt évtizedben olyan technológiákat, amelyekkel a NAND fejlődése más megoldásokkal továbbiakban is fenntartható.

  • shabbarulez

    őstag

    válasz Badman 4ever #7 üzenetére

    Ahogy az SRAM / DRAM / NAND / HDD között is megvannak a $/GB arányok, amik behatárolják a gazdaságos felhasználhatóságukat, úgy ez a nem felejtő SRAM vagy DRAM utódoknál sem igen lesz másként. A PCM vagy az STT-RAM inkább nem felejtő DRAM utód lesz majd, nem pedig SSD-ben NAND helyettesítő, ahogy az MRAM-ot is nem felejtő SRAM alternatívaként használják.

    Mindegyik technológiának megvan az a célterülete, azok a minőségi követelmények ahova fejlesztik és ennek elérése érdekében másból engedni kell hogy a célok elérhetők legyenek. Így aztán olyan univerzális nem felejtő memória ami az MRAM gyorsaságával és újraírhatóságával bír, de a $/GB arány a HDD-vel vetekszik erősen utópia, hisz az egyes minőségi elvárások erősen kizárásosan ütik egymást.

    PCM-ből pár éven belül lehet majd DRAM helyettesítő, nem felejtő memória alternatívát csinálni mobilokba(sőt már most is van ilyen kereskedelmi forgalomba kapható készülék, de nem messze nem széleskörűen elterjed). 5 év múlva high end üzleti adattárolódnál már megérheti SSD-ket készíteni belőle, de nem a NAND-os SSD-k lecserélésére, ha nem egy további adattárolási rétegként a DRAM és az SSD közé, mint nagy sebességű, byte szinten címezhető SDD. Egy évtized múlva meg elérheti az a $/GB arány, amit a mai NAND flash produkál és így tömeg termékek is épülhetnek rá, de ott is inkább egy DRAM és NAND SSD közötti űrt betöltő felhasználás dominálhat, hisz a NAND-os SSD-k akkor már sokkal jobb $/GB arány fognak kínálni. Hasonlóan ahogy egy évtized múlva egy HDD is arányaiban ugyanúgy jobb $/GB arány fog kínálni az akkori NAND-os SSD-kel szemben mint ahogy ma is teszi.

    Végtelen újraírhatóság meg nem igazán létezik, mindegyik technológiának van véges újraírhatósága.

Új hozzászólás Aktív témák