Bemutatta új, 1bnm node-ját az SK Hynix

Az eljárás DDR5, LPDDR5T és HBM3E memóriákhoz lesz felhasználva.

Az SK Hynix bejelentette, hogy elkészült az ötödik generációs, 10 nanométeres osztályú, 1bnm nevet viselő gyártástechnológiájuk, amelyen első körben DDR5, LPDDR5T és HBM3E memóriákat gyártanak majd.

A dél-koreai cég szerint – az Intel Sapphire Rapids platformján – már sikerült validálniuk olyan DDR5-ös szervermemóriát, amely 6,4 GHz-es effektív órajelen üzemelt, ezzel 33%-kal növelve a teljesítményt a korábbi megoldáshoz viszonyítva.

A vállalat az új LPDDR5T lapkákhoz, illetve a HBM3E-hez is az új gyártási eljárást fogja használni, utóbbival biztosan elérhetővé válik az 1 TB/s-ot meghaladó adatátviteli tempó egy memóriastackre levetítve, de az ennél pontosabb specifikációk még nem nyilvánosak.

Az 1bnm node a fentieken túl nagyjából 20%-kal kisebb fogyasztást is eredményez az 1anm-hez viszonyítva, így az energiahatékonyság tekintetében is számottevő az előrelépés.

Azóta történt

Előzmények

Hirdetés