A Samsung már két V-NAND megoldást is kifejlesztett, melyek közül az első 24, míg a második generáció 32 cellaréteget használ, de a cellák még mindig két bitet tárolnak, azaz MLC-s megoldásnak tekinthető a memória. A Samsung korábban sem tagadta, hogy dolgoznak a TLC, azaz a cellánkénti három bit információ tárolásának megoldásán a V-NAND technológián, ami most végre testet is öltött.
A vállalat a második generációs megoldáshoz képest nem változtat, így a saját fejlesztésű belső összeköttetés továbbra is maximum 32 cellaréteget jelent. A kapacitás is marad 128 gigabit, így a Samsung első körben az olcsó gyárthatóságot tartotta szem előtt, míg később jöhetnek a nagyobb kapacitással rendelkező opciók, és ezzel a nagyobb tárhelyet kínáló SSD-k is.
A TLC és a V-NAND egyébként igen ütős kombináció, hiszen utóbbi alapvető előnye, hogy az egyes cellák rendkívül sok írási ciklust viselnek el, mielőtt elhasználódnak, így a végfelhasználói piacon tényleg a TLC bevezetése volt az optimális.
A Samsung harmadik generációs, 32 cellaréteget használó, 128 gigabites, TLC V-NAND megoldása már tömeggyártásba került, így elérhető az érdeklődők számára.
