A Samsung régóta ígérgeti a 3D struktúrát használó flashmemóriát, másik nevén a V-NAND-ot, ami a gyártó szerint megoldja a hagyományos, ma használt planáris NAND technológiából fakadó, teljesítménnyel és élettartammal kapcsolatos problémákat, és nem utolsósorban a fogyasztásra is kedvező hatással van, miközben a tárkapacitás is gazdaságosan növelhető a jövőben.
Magáról a megvalósításról már írtunk, de dióhéjban nem másról van szó, mint a planáris cellarétegek vertikális tokozásáról és több rétegben egymásra helyezéséről, ami a leírva egyszerűnek tűnik, de a gyakorlatban nem az. Egyrészt meg kellett oldani az egyes hengeres rétegek közötti kapcsolatot, másrészt pedig problémaként merült fel, hogy a lebegőkapu nem fordítható el, amit az új tokozás megkövetelne, így ezt kiküszöbölendő a Samsung egészen a 2006-ban kifejlesztett Charge Trap Flash (CTF) technológiához nyúlt vissza. A CTF esetében nincs lebegőkapu a vezérlőkapu és a félvezető között, így az elektronok nem a lebegőkapuban, hanem egy szilícium-nitrid rétegben esnek csapádba. A Samsung első körben 24 cellaréteget használt, de 32 réteget is sikerült egymásra helyezniük, és később akár 48 vagy 96 réteg is szóba jöhet. Számításaik szerint az 1 terabites lapkák is megvalósíthatók ezzel a megoldással. Egyelőre viszont be kell érni a 32 rétegűvel, amiket egyébként 40 nanométeres gyártástechnológiával készít a gyártó, és ezek találhatók a most bemutatott Samsung 850 Pro sorozat minden egyes tagjában.
[+]
A tavalyi év végén beígért tárolók tárkapacitása 128 GB és 1 TB között skálázódik, és az új NAND chipeket leszámítva sokban hasonlít az előző generációhoz, azaz a 840 Pro és 840 EVO sorozathoz, kezdve ott, hogy az újdonság 2,5"-es és 7 mm vastag, csatolófelülete pedig továbbra is 6 Gbps-os SATA. A 850-esben a 840 EVO-ban is látott hárommagos, S4LN045X01-8030 vezérlője dolgozik, illetve az LPDDR2 gyorsítótár sem maradt le, aminek kapacitása a 128 GB-os modellnél 256 MB, a 256 és 512 GB-os esetében 512 MB, míg az 1 TB-os változatban 1 GB. Ami a funkciókat illeti, ezekből is jól áll a tároló: 256 bites AES titkosítás, kompatibilitás a TCG Opal 2.0 és Windows eDrive szabványokkal, TRIM, Garbage Collection, SMART, RAPID és hővédelem (throttling). Egyedül a áramkimaradásból fakadó védelem hiányzik.
A V-NAND egyik előnyeként a teljesítményt emlegeti a gyártó, ám az alkalmazott 6 Gbps-os SATA csatolófelület behatárolja a lehetőségeket, így a szekvenciális olvasás és írás 550/520 MB/s-nél tetőzik (a legkisebb modellnél az írás 470 MB/s), míg a 4 kB-os blokkokon végzett olvasási/írási teljesítmény 100 000/90 000 IOPS. Aktív használat közben maximum 3 wattos fogyasztásra van kilátás, ami idle módban 0,4 wattra csökken, míg DevSleep módban 0,2 mW-tal számolhatunk. Végére hagytuk az élettartam kérdését, ami a Samsung közleménye 150 TBW, ami 10 év garancia mellett 40 GB/napnak felel meg (azaz a most alkalmazott 5 év mellett 80 GB/nap lenne). Ez kicsit kevesebb annál, amit elsőre vártunk, de átlagban több, mint amire elődei képesek. Ugyanakkor ennek a kérdéskörnek papíron nem kell nagy jelentőséget tulajdonítani, ugyanis egyes tesztek szerint a gyártó nagyon "óvatos" számokat adott meg.
Ami az árakat illeti, a 128 GB-osért 130 dollárt, a 256 GB-osért 230 dollárt, az 512 GB-osért 430 dollárt, az 1 TB kapacitású modellért pedig 730 dollárt kér a Samsung július 21-től.
