A Samsung bejelentette legújabb fejlesztésű, alapjaiban GDDR6 szabványra épülő memóriáját, amely a FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging) tokozási technológiát vegyíti az elterjedt szabvánnyal. Ennek a lényege, hogy a DRAM lapkák mostantól nem csak vízszintesen helyezhetők a tokozásra, hanem elkezdődik a függőleges építkezés is. Ehhez a dél-koreai óriáscég leváltotta a korábban használt nyomtatott áramköri lapot, és az RDL (re-distribution layer) technológiát alkalmazva a korábbinál finomabb vezetékezési mintát használnak, amivel maga a memóriastack úgy válik kétrétegűvé, hogy közben a magassága a GDDR6-os fejlesztésekhez viszonyítva csökken.
[+]
A fenti kép szemléletesebben átadja, hogy mi is a változás, és a Samsung az új megoldását GDDR6W-nek nevezte el. A kétrétegű kialakítással a korábbi x32-es I/O konfigurációt x64-es váltja, tehát egy GDDR6W memóriastack nemcsak a kiépíthető kapacitás, hanem a buszszélesség tekintetében is dupláz, miközben nem kell az optimálisnál nagyobb órajelet alkalmazni, aminek hála az energiahatékonyság sem különbözik majd jelentősen a GDDR6-tól.
[+]
A partnereknek is viszonylag könnyű lehet a GDDR6W implementálása, ugyanis kis változásra van csak szükség a meglévő GDDR6-os memóriavezérlőn belül. A Samsung szerint a JEDEC is dolgozik a GDDR6W szabványosításán, és várhatóan a következő esztendő második negyedévében el is készülnek vele, és az első memóriák is ekkortájt érkezhetnek.
