2019. április 22., hétfő

Útvonal

Hírek » Memória rovat

Bejelentette eddigi legjobb DDR4-es memórialapkáját a Samsung

  • (f)
  • (p)
Írta: | | Forrás: PROHARDVER!

A harmadik generációs 10 nm-es osztályú node még kedvezőbbé teszi a tömeggyártást.

A Samsung bejelentette, hogy elkészült a harmadik generációs 10 nm-es osztályú node-ot használó, egészen pontosan 1z-nm-es 8 gigabites kapacitású, DDR4 szabványú memórialapkája. Az újdonság a második generációs verzióhoz képest 20%-kal jobb gyárthatóságot tesz lehetővé. Ráadásul a vállalat még mindig nem vetette be az EUV litográfiát, így a meglévő gyártósorokat használják továbbra is, ami a költségek tekintetében kedvező lépés.

Hirdetés

A tempó nem igazán változik, továbbra is kellemesen megoldható a összeköttetésenkénti 3600 Mbps-os teljesítmény, ami lényegében megfelel a 3600 MHz-es effektív órajelnek. Ezzel természetesen lefedhető a JEDEC által elismert szabványos teljesítményszintek aktuálisan legmagasabb lépcsőfoka, ami 3200 MHz. Az üzemfeszültség maradt a szabványos 1,2 V-on, de magasabb órajel mellett esetlegesen az 1,35 V beállítása is szükséges lehet.


[+]

A dél-koreai óriáscég a harmadik generációs, 10 nm-es osztályú node-on gyártott, 8 gigabites DDR4-es memória tömeggyártását az év második felében kezdi meg, ami a tényleges modulok elérhetőségét tekintve leginkább a következő év elejét jelenti.

A vállalat természetesen más memóriaszabványoknál is beveti majd az új, 1z-nm node-ot, így LPDDR5, DDR5 és GDDR6 lapkák is érkeznek majd rá.

Hirdetés

Gyártók, szolgáltatók

Hirdetés

Copyright © 2000-2019 PROHARDVER Informatikai Kft.