A Hynix bejelentette, hogy elkészült az új 10 nm-es osztályú node-ot használó, egészen pontosan 1Znm-es 16 gigabites kapacitású, DDR4 szabványú memórialapkája. Az újdonság az iparágon belül először kínál ennyi tárhelyet egyetlen chipen, illetve az új gyártási eljárásnak hála egy waferre levetítve is a legnagyobb kapacitás érhető el, ami termelés hatékonyságát tekintve számottevő tényező.
Hirdetés
Az 1Znm a korábbi generációs node-hoz viszonyítva 27%-kal jobb gyárthatóságot tesz lehetővé, miközben nem szükséges hozzá EUV litográfia, vagyis a meglévő gyártósorokat használják továbbra is, ami a költségek tekintetében kedvező lépés.
[+]
A tempó tekintetében az összekötésenkénti 3200 Mbps-os teljesítmény hozható, ami lényegében megfelel a 3200 MHz-es effektív órajelnek, ami tökéletesen lefedi a JEDEC által elismert szabványos teljesítményszintek aktuálisan legmagasabb lépcsőfokát. Az üzemfeszültség maradt a szabványos 1,2 V-on, viszont az új gyártástechnológiának hála 40%-kal javult az energiaigény.
A vállalat más memóriaszabványoknál is beveti majd az új, 1Znm node-ot, így később LPDDR5 lapkák is érkeznek majd rá, illetve ezen fog majd bemutatkozni a HBM3 is, amint kész lesz.
