A Hynix bejelentette, hogy elkészült az új generációs, 10 nm-es osztályú node-ot használó, egészen pontosan 1Ynm-es 8 gigabites kapacitású, DDR4 szabványú memórialapkája. Az újdonság a korábbi, szintén 10 nm-es osztályú, de 1Xnm node-ot használó verzióhoz képest 20%-kal jobb gyárthatóságot tesz lehetővé, amivel nő a ténylegesen bevethető memórialapkák száma, továbbá 15%-kal javult a fogyasztás is.
Az órajel tekintetében a Hynix a 3200 MHz-et célozza meg, továbbá újítás a vállalat Sense Amp. Control technológiája, amely fogyasztást, illetve az adathibákat csökkenti.
A dél-koreai vállalat az új, 8 gigabites DDR4-es memórialapkáját a következő esztendő első negyedévében kezdi el szállítani, addig is a minták már elérhetők az érdeklődő partnerek számára.
