Még 2010-ben írtunk először a Hynix és a HP közös projektjéről, mely a ReRAM (Resistive Random Access Memory) nevet viseli. A termék a memrisztorra épül, amelyet a negyedik passzív áramköri elemnek tartanak. A memrisztor a memory resistor rövidítésből alakult ki, azaz emlékező ellenállást jelent. Ez a név a technológia legnagyobb előnyére utal, vagyis a többi passzív áramkörrel ellentétben a memrisztor az áram lekapcsolása után is emlékszik annak erősségére, valamint azt is megjegyzi, hogy mennyi ideig, milyen irányból folyt át rajta, hiszen az ellenállás nőhet és csökkenhet függően az áram irányától. Ennek megfelelően a memrisztor áram hatására rögtön képes felvenni az utolsó állapotot, azaz ideális memória lehet belőle.

Elméletben a rendszer nagyon rendben van, de a gyártás szempontjából igen sok nehézség akad. A legnagyobb probléma, hogy a ReRAM előállítása elképesztően költséges, így pedig a termék igen nehezen válhat a mai mobil eszközök állandó elemévé.

A Hynix egyébként a fejlesztést a HP mellett az IBM és a Toshiba segítségével végzi, és ez azt is jelenti, hogy az első ReRAM lapkákat az említett cégek kapják meg. Ez azonban nem idén lesz, ahogy azt az érintettek tervezték, ugyanis a friss adatok alapján a tömeggyártásra leghamarabb 2015-ben kerülhet sor. Ezzel a HP-nek az a víziója is szertefoszlott, melynek kapcsán a cég 2014-2015 körül már ReRAM-ot használó tableteket és okostelefonokat prognosztizált.

A ReRAM a csúszás ellenére még mindig hatalmas potenciállal bír, így nem szabad leírni, de igen valószínű, hogy 2016 előtt nem épül majd rá semmilyen eszköz.