A HP bejelentette, hogy a dél-koreai Hynix Semiconductorral együttműködve fejlesztik ki a memóriák új generációját, melyet egyelőre csak ReRAM, azaz Resistive Random Access Memory néven emlegetnek. A termék a memrisztorra épül, amelyet a negyedik passzív áramköri elemnek tartanak. A memrisztor a memory resistor rövidítésből alakult ki, azaz emlékező ellenállást jelent. Ez a név a technológia legnagyobb előnyére utal, vagyis a többi passzív áramkörrel ellentétben a memrisztor az áram lekapcsolása után is emlékszik annak erősségére, valamint azt is megjegyzi, hogy mennyi ideig, milyen irányból folyt át rajta, hiszen az ellenállás nőhet és csökkenhet függően az áram irányától. Ennek megfelelően a memrisztor áram hatására rögtön képes felvenni az utolsó állapotot, azaz ideális memória lehet belőle.

Az elméleti alapok nagy jövőt jósolnak a rendszernek, így nem véletlenül bizakodik a HP a memrisztor kapcsán. Probléma azonban a gyártás kivitelezése, hiszen kell találni egy megfelelően olcsó módot a termékek előállítására. Itt jön képbe a második legnagyobb memóriagyártóként számon tartott Hynix. Az utóbbi cég feladata a tömegtermelésre alkalmas gyártósor kifejlesztése lesz, ám ehhez még rengeteg idő kell. A HP 2013-ra tervezi az első ReRAM lapka bemutatását.

A memrisztor számos előnyt tud felmutatni a jelenleg ismert technológiákhoz viszonyítva. A rendszer nagyon gyors és energiatakarékos. Ennek köszönhetően a felhasználása kellően univerzális lehet. Elsődlegesen a NAND flash és a PRAM ellen lehet bevetni, de kellően magas teljesítmény esetén a DRAM ellen is alkalmasnak bizonyulhat. Sőt az áramkör akár egyszerűbb logikai műveletek elvégzésére is jó lehet, ami új területeket nyithat meg a számítógépek jövőjével kapcsolatban, és a jelenleg alkalmazott memóriahierarchia is eltűnhet.