A TSMC a jövőre vonatkozó tervek szempontjából az elmúlt időszakban részletezte, hogy három új csíkszélesség bevezetésén munkálkodnak jelenleg. A 10 nm-es node már igen közel van, és 2017 végén már bevételt is remélnek belőle. A 7 nm-es node 2018-ban kerül bevezetésre, de első körben ez nyilván a kísérleti gyártásra vonatkozik.
Korábban a vállalat már bejelentette, hogy az EUV-t, azaz az extrém ultraibolya sugárzású litográfiát mégsem a 7 nm-es node-on vezetik be, ugyanis a EUV-hez szükséges eszközök leginkább 2019-ben lesznek megfelelően használható állapotban, de a 7 nm-es gyártástechnológia így is fontos, mivel ezen az EUV-t kipróbálják.
Az 5 nm-es node-on azonban már biztos az EUV bevetése, és a TSMC tervei szerint ez a csíkszélesség 2020 végén lesz elérhető a partnerek számára. A extrém ultraibolya sugárzású litográfia használata itt már elkerülhetetlen. Bár a szükséges eszközpark kiépítése meglehetősen drága, maga a gyártási folyamat egyszerűsödik, így az olcsóbb lesz. Ugyanakkor ez a megrendelőknek nem feltétlenül jelent előnyt, mivel a TSMC a megszabott waferárakkal kifizetteti a beruházás költségeit.
