A TSMC bejelentette, hogy a készülő 16 és 10 nm-es node-ok mellett a 7 nm-es gyártástechnológia fejlesztése is a tervezett ütemben halad. A vállalat szerint a kísérleti gyártás 2017 elején kezdődhet meg, ami nagyban köszönhető annak, hogy a 10 nm-es node-hoz használt eszközök jelentős részét át lehet majd menteni, illetve a bérgyártó 7 nm-en már EUV, azaz az extrém ultraibolya sugárzású litográfiát fogja alkalmazni.

Az EUV litográfiával a bérgyártók régóta szemeznek, de a TSMC szerint ez a technológia még mindig nincs kész a tömeggyártásra, így elképzelhető, hogy a 10 nm-es node-ok esetében nem lesz bevetve, a 7 nm-es node-okon azonban már biztos a használata. A vállalat szerint az újítás segítségével a fejlesztés komplexitása csökkenthető, amellyel természetesen csökkennek a kockázatok is, illetve a gyártási költségek kedvezőbbek lesznek, ami a partnerek számára hasznos.

A TSMC becslése szerint a 7 nm-es node-on a tömeggyártás várhatóan a 2018-as esztendő elején indulhat meg.