Az integrált áramkörök (például a memóriachipek) helyigényének csökkentése érdekében jó ideje alkalmazzák azt a megoldást, hogy több lapkát egymásra rétegezve közös tokozásba helyezik azokat. Maguknak a chipeknek a kialakításán azonban ez mit sem változtatott, így a külső csatlakozók felé irányuló, illetve a chipek közötti elektromos kapcsolatokat továbbra is viszonylag nagy helyigényű, oldalt lefutó fémvezetékekkel oldják meg. Egyszerűbb, helytakarékosabb, és az elektromágneses zajokkal szemben is érzéketlenebb megoldás lenne, ha a chipeket merőlegesen átlyukasztva rövid vezetékeket kellene csak alkalmazni.
A „through-silicon via” kifejezés nyomán TSV-nek nevezett technológia kidolgozását nemrég jelentette be az IBM, az Intel is komoly energiát fordít a fejlesztésre, legutóbb pedig a Samsung adta hírül, hogy elkészítte első TSV-s DRAM szendvicsét. A koreai gyártó az eljárás révén nemcsak jelentősen csökkentette a tokozás helyigényét, de egyúttal növelte áramkörének sebességét, illetve csökkentette fogyasztását. A szilíciumba lézerrel vágott lyukakat rézzel töltötték ki, így alakították ki a megfelelő kapcsolatokat a négy chip, illetve a külső elektródák között. Egy tokozásban így négy 512 megabites DDR2 lapkát egyesítettek, melyekből akár 4 GB kapacitású, normál DIMM formátumú memóriamodulok is építhetők.
A fejlesztéssel a Samsung már az igen magas órajelekig skálázódó DDR3 memóriák megjelenésére készül, hiszen a tokozáson belül hosszabb vezetékeket alkalmazó hagyományos rétegezési eljárások egy bizonyos frekvenciánál fizikai korlátokba ütköznek. Persze az új technológiával nemcsak leküzdhetők bizonyos problémák, de újak is felmerülnek, így például a mérnököknek meg kellett oldaniuk, hogy a korábbinál vékonyabb szilíciumszeletek (waferek) a feldolgozás folyamán ne hajolhassanak el, mert ez a rajtuk lévő áramkörök torzulását okozná. A gyártó a TSV eljárással rétegzett chipek forgalomba kerülését illetően egyelőre nem szolgált pontos dátummal.
