Hirdetés

DDR3 memóriákkal készülnek a chipgyártók

Csupán néhány nap van hátra az Intel Bearlake kódnevű chipsetcsaládjának bemutatkozásáig, melynek egyik újdonsága, hogy a DDR2-n kívül a DDR3 memóriákat is kezeli. A G33, G35 és P35 jelű lapkák hivatalosan a DDR3-1066 sebességet támogatják, a későbbre várt X38-as csúcsmodell azonban már 1333 MHz-es DDR3-támogatást is biztosít. Ennek fényében nem meglepő, hogy a memóriagyártók is technológiaváltásra készülnek, még ha ez nem is zajlik le túl gyors ütemben. Az elemzők szerint 2008 végére a leszállított DRAM modulok mintegy negyede lesz DDR3-as, és az új technológia csak 2010-ben válik uralkodóvá.

Amint az Intel minősítési eljárásán eddig átesett chipek táblázata is mutatja, a gyártók 512 megabit és 1 gigabit kapacitású lapkákkal indítanak, és egyelőre kivárnak a magasabb órajeleken, illetve kisebb késleltetési értékekkel működtethető chipek tömeggyártásával. A váltás kezdetben valószínűleg nem jár (jelentős) gyorsulással, ám a DDR3 modulok kevesebb energiával is beérik, mint DDR2-es elődeik, hiszen 1,8 helyett 1,5 volt a szabványos tápfeszültségük.

Hirdetés

A DDR3 chipek és modulok különösen nagy választékával hódító Samsung még ebben a negyedévben beindítja a tömegtermelést. A DDR3 lapkák első generációját közösen fejlesztő Nanya és Qimonda már szállítja egyszerűbb, 512 megabites chipjeit a partnereknek, nagy tételben azonban csak 2007 második felében lesz elérhető a teljes termékválaszték. Ők egyébként utaltak arra is, hogy a tervezéskor a túlhajtás szempontjait is szem előtt tartották.

Az Elpida az asztali PC-kbe való memóriák mellett más szegmensekre is felhívja a figyelmet: már szállítja noteszgépekbe való, energiatakarékosabb SO-DIMM moduljait, és előkészületben van a szerverekbe szánt, regiszteres DDR3 modulok gyártása is. Az újabb, 70 nm-es csíkszélességgel előállított 1 gigabites chiptől azt várják, hogy könnyedén teljesíti majd a DDR3-1600-as sebességet is.

A Hynix a harmadik negyedévben indítja be a tömegtermelést – kezdetben 80 nm-es csíkszélességgel, de 2007 végére már a 66 nm-es gyártósorokon is. Később csatlakozik a klubhoz a Micron, mely 1 gigabit kapacitású lapkáinak sorozatgyártását 2008 elejére ígéri – hozzátéve, hogy akkortájt már 2 gigabites DDR3 chipje is készen lesz.

 

Az Intel által tanúsított DDR3 lapkák
Gyártó
Chip kódjele
Kapacitás Órajel Késleltetés
CL-tRCD-tRP
Elpida
EDJ5308BASE-8A-E
512 Mb 800 5-5-5
Elpida
EDJ5308BASE-AE-E
512 Mb 1066 7-7-7
Elpida
EDJ5308BASE-AC-E
512 Mb 1066 7-7-7
Hynix
HY5TQ1G831ZNFP-G7
1 Gb 1066 7-7-7
Hynix
HY5TQ1G831ZNFP-S5
1 Gb 800 5-5-5
Hynix
HY5TQ1G831ZNFP-S6
1 Gb 800 6-6-6
Hynix
HY5TQ1G831ZNFP-G8
1 Gb 1066 8-8-8
Micron
MT41J128M8BY-25E
1 Gb 800 5-5-5
Micron
MT41J128M8BY-25
1 Gb 800 6-6-6
Micron
MT41J128M8BY-187E
1 Gb 1066 7-7-7
Micron
MT41J128M8BY-187
1 Gb 1066 8-8-8
Qimonda
IDSH51-03A1F1C-08D
512 Mb 800 5-5-5
Qimonda
IDSH51-03A1F1C-10F
512 Mb 1066 7-7-7
Qimonda
IDSH51-03A1F1C-08E
512 Mb 800 6-6-6
Qimonda
IDSH51-03A1F1C-10G
512 Mb 1066 8-8-8
Nanya
NT5CB64M8AN-AC
512 Mb 800 5-5-5
Nanya
NT5CB64M8AN-BE
512 Mb 1066 7-7-7
Samsung
K4B1G0846C-ZCE7
1 Gb 800 5-5-5
Samsung
K4B1G0846C-ZCF8
1 Gb 1066 7-7-7
Samsung
K4B1G0846C-ZCF7
1 Gb 800 6-6-6
Samsung
K4B510846E-ZCF7
512 Mb 800 6-6-6
Samsung
K4B1G0846C-ZCG8
1 Gb 1066 8-8-8
Samsung
K4B510846E-ZCG8
512 Mb 1066 8-8-8
Samsung
K4B510846E-ZCE7
512 Mb 800 5-5-5
Samsung
K4B510846E-ZCF8
512 Mb 1066 7-7-7

Forrás: Intel

Hirdetés

Fotóznál vagy videóznál? Mutatjuk, melyik okostelefon mire való igazán!

PR Vásárlás előtt érdemes megnézni, mit kínálnak az aktuális telefonok, ha igazán ütős képeket vagy profi mozgóképeket szeretnénk készíteni.

Azóta történt

Előzmények